вопрос

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ИМ. А.В. РЖАНОВА

   ЭЛЛИПСОМЕТРЫ. ДИАГНОСТИКА И КОНТРОЛЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК И СЛОЕВ

Домой     Эллипсометры     Контакты, поддержка, заказ     Работы и публикации     Эллипсометрия в технологиях, науке, производстве     Новости
"Эллипсометры. Диагностика и контроль тонких пленок и слоев"
   
   Эллипсометрия в технологиях, науке, производстве
 
Эллипсометрия: практическое применение в науке и технологиях

Измерение спектров оптических постоянных материалов

        На сегодняшний день методом спектральной эллипсометрии (СЭ) измерены и табулированы спектры оптических постоянных (или диэлектрические функции) широкого класса полупроводников: одноатомных монокристаллических Ge [16, 18] и Si [16, 19], в том числе, сильно легированных Ge [20] и Si [21], аморфных Ge [22] и Si [23], соединений группы А3В5 [16], A2B6 [24, 25], тройных соединений GaAlAs [26], HgCdTe [27, 28] и других полупроводниковых соединений и их окислов [28, 29, 30-32]. Для большинства перечисленных работ примечательным является то, что перед измерениями исследуемые образцы тестировались по специальной эллипсометрической методике [16] на качество поверхности, и измерения проводились на лучших образцах из тех, которые удовлетворяли разработанному критерию. Благодаря этому удалось значительно снизить погрешности, связанные с плохой подготовкой образца, вследствие чего данные, полученные по одному и тому же материалу различными группами исследователей совпадают с точностью 1-2 %. Спектры оптических постоянных полупроводников очень тесно связаны с особенностями его энергетической зонной структуры, и являются источником богатой информации при ее изучении [33]. В 80-х годах сотрудниками Института им. Макса Планка была выполнена серия работ, где метод СЭ служил основой для исследования спектров диэлектрических функций широкого класса полупроводников [18, 20, 21,27, 34-38]. Были определены параметры критических точек межзонных переходов, такие как амплитуда, энергия, уширение в зависимости от температуры, состава твердых растворов, степени легирования. На основе анализа формы мнимой части диэлектрической функции 2(E) вблизи критических точек спектра анализировался вклад экситонного эффекта. Эти фундаментальные исследования также имеют и чисто практические приложения при контроле различных физических параметров материалов в технологических процессах.


Измерение параметров слоистых структур

        Современная полупроводниковая технология базируется на прецизионном получении заданных толщин полупроводниковых и диэлектрических планарных слоев. Поэтому исторически одним из первых и пожалуй наиболее эффективным примером применения эллипсометрии было измерение параметров тонкопленочных структур - толщин пленок в интервале от единиц до нескольких тысяч ангстрем и их оптических постоянных, причем точность определения толщин в отдельных случаях достигает долей ангстрема [39]. Измерение оптических постоянных слоев может представлять как самостоятельный интерес, например при создании волноводных структур [40, 41], так и служить их косвенной характеристикой, содержащей информацию о таких параметрах как микроструктурное совершенство [42, 43], химический состав [26-28, 44], наличие инородных включений [45, 46] и пористости [47], механические напряжения в слоях [48, 49], а также качество межфазных границ [50]. Благодаря чувствительности к перечисленным параметрам эллипсометрия активно используется при отработке технологических режимов получения различных слоев, таких как аморфного гидрогенизированного [51, 52, 53], и микрокристаллического кремния [51, 53-55], оксида, нитрида и оксинитрида кремния [56-62], алмазоподобных пленок [63-69], при плазмо-химическом окислении полупроводников [13, 15, 70-79], а также при синтезе других слоев и структур [80-85]. При этом основные задачи, на решение которых направлен метод - характеризация физических свойств получаемых слоев в зависимости от условий их выращивания и поиск оптимальных технологических режимов. Отдельный интерес представляют кинетические измерения in situ начальных стадий роста [55, 70, 74, 86], которые несут информацию о механизмах синтеза слоев. Однако при этом исследователь должен выбирать определенный компромисс между информативностью спектральной эллипсометрии и быстродействием одноволновой [70]. Последовательное применение метода одноволновой эллипсометрии позволяет находить неразрушающим способом параметры, как правило одного или двух слоев, например, в структурах полупроводник - диэлектрик [87] или более сложных ?типа моно-Si/SiO2/поли-Si [88, 89], однако точность измерений снижается с увеличением числа слоев из-за взаимной корреляции параметров [90]. Этой неприятной ситуации удается избежать при спектральных эллипсометрических измерениях. Основываясь на анализе спектроэллипсометрических данных в базисе "длина волны-длина волны" [4] удается определять параметры трех, четырех и более слоев [91-94]. Наиболее показательны в этом отношении результаты работы [91]. Авторы проводили исследования захороненных слоев Si02, полученных имплантацией кремниевых пластин ионами кислорода с энергией 150 КэВ. При последующем нанесении защитного слоя Si02 и отжиге в азотной атмосфере получалась трехслойная структура Si02-Si-Si02 на подложке Si. Методом СЭ были найдены толщины всех слоев, которые совпали с результатами их определения методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Еще более впечатляющие результаты продемонстрированы в работе [92]. Исследована четырехслойная структура, состоящая из чередующихся слоев аморфного и кристаллического кремния с верхним слоем Si02. Определены толщины слоев (которые также хорошо совпали с данными ПЭМ), а по спектрам оптических постоянных найден количественно их фазовый состав, то есть доля аморфного и кристаллического Si. Авторы особо подчеркивают,что метод СЭ в отличии от ПЭМ оказался в данном случае более информативным (ПЭМ дает лишь качественную характеристику состава) и является к тому же неразрушающим. Рабочие параметры полупроводниковых структур во многом зависят от качества межфазных границ и наличия переходных слоев. Трудность исследования скрытых в глубине переходных слоев обусловлена малой их протяженностью. Интерпретация результатов, полученных разрушающими методами (например, данные рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии или Оже-спектроскопии при ионном травлении), в этом случае затруднена из за воздействия ионного пучка [95]. Метод эллипсометрии позволяет получить в этом случае более достоверную информацию, обнаруживая при этом крайне высокую чувствительность. Наиболее детально исследованы переходные слои в системе Si-SiO2.для различных технологий получения двуокиси кремния [50, 96 – 98], их толщина варьируется в широком диапазоне в зависимости от способа получения SiO2. Методом СЭ был исследован переходный слой в системе Si-Si3N4 [99, 100], определена его толщина и состав. Имеются также данные по исследованию границ раздела других гетероструктур [101-106]. Из анализа перечисленных работ можно сделать вывод, что при исследовании переходных слоев СЭ более предпочтительна и позволяет получить достоверные данные даже для довольно сложных структур. Специально разработанный метод обратного линейного анализа [42] позволяет найти параметры слоев и их доверительный интервал. Так, в [91] убедительно показано, что для полученной структуры Si02-Si-Si02 на кремнии наиболее адекватной исследуемой системе является модель слоев с плавным переходом между Si и Si02 и найдены толщины переходных слоев (12 и 19.5 нм). Физически размытие границ обусловлено включением островков Si в слоях Si02 и их шероховатостью. Высокая чувствительность эллипсометрических измерений к толщинам субнанометрового диапазона позволяет использовать метод для обнаружения и анализа сверхтонких остаточных слоев, образующихся в результате химической обработки поверхности или при окислении. В работе [4] приведены данные исследования остаточных слоев на CdHgTe, образующихся после стравливания анодного окисла. При толщине слоя 4 нм точность его определения составляет 0.05 нм, при этом находится также спектр оптических постоянных слоя, который позволяет идентифицировать его как пористый аморфный Те. Точное определение толщины и оптических постоянных сверхтонких диэлектрических слоев возможно и при одноволновых эллипсометрических измерениях [107], однако для этого применяется специальная экспериментальная методика, предполагающая измерения в иммерсионных жидкостях.


Контроль при ионной имплантации полупроводников

        Ионная имплантация является универсальной технологией легирования полупроводниковых материалов. Низкоэнергетичная ионная бомбардировка используется также для очистки поверхности в вакууме. [108, 109]. В облученном материале образуется большое число радиационных дефектов, которые приводят к сильному изменению его оптических постоянных. Благодаря этому эллипсометрические измерения оказываются чувствительны к процессам ионной имплантации и последующему отжигу дефектов. На основе метода одноволновой эллипсометрии исследовались в основном такие вопросы, как зависимость толщины нарушенного слоя и степени разупорядоченности от энергии и дозы облучения для различных имплантируемых элементов [110], и было показано, что метод может эффективно использоваться для контроля этих параметров. В ряде работ изучались более детально нарушенные аморфные слои и распределение оптических постоянных по толщине [111-115]. Использовалась как неразрушающая методика многоугловых эллипсометрических измерений [112, 115], так и методика послойного стравливания нарушенного слоя [111, 112, 114]. На основе этих исследований была установлена корреляция между профилем оптических постоянных с одной стороны и распределением дефектов [112] и внедренных ионов [111, 114] с другой. В работе [114] изучались также процессы термического и лазерного отжига в имплантированном GaAs. Показано, что при лазерном отжиге происходит лишь поверхностная кристаллизация из-за оптического поглощения в материале. Профили оптических постоянных в зависимости от условий облучения иследовались в работе [116]. Было обнаружено сглаживание неоднородного распределения оптических постоянных с увеличением плотности потока ионов и предложен механизм, объясняющий этот факт за счет трансформации дефектных комплексов, образующихся при повышенных температурах. Метод СЭ был эффективно применен для исследования имплантированных слоев различных полупроводников: GaAs [100], Ge [117],Si [118, 119] и других материалов [120]. Было показано, что спектр оптических постоянных сильно легированного полупроводника является спектром его аморфной фазы. С уменьшением дозы облучения в спектрах обнаруживается присутствие кристаллической фазы. Пользуясь приближением эффективной среды [45] в рамках модели однородных слоев, авторы работы [100] нашли профиль распределения доли аморфного GaAs, который соответствовал профилю распределения примесей. Проведенный затем последовательный отжиг при повышении температуры до 9000С позволил наблюдать появление пиков поглощения в 2(E), соответствующих кристаллическому состоянию, и исследовать динамику кристаллизации. Таким образом, метод СЭ в отличие от одноволновых измерений, позволяет уверенно наблюдать процессы аморфизации и рекристаллизации полупроводниковых слоев при имплантации и последующем отжиге, не прибегая при этом к разрушающей методике послойного стравливания.


Контроль в технологии соединений А3 В5 и А2В6.

        Эффективность использования эллипсометрии в качестве аналитического метода контроля технологических процессов заключается, главным образом, в возможности наблюдения за ростом непосредственно в технологической установке (in situ) и в реальном масштабе времени [121]. Такое важное свойство эллипсометрии, как отсутствие возмущающего воздействия оказалось принципиальным при контроле процессов молекулярно-лучевой эпитаксии тройного соединения CdHgTe. Используемый обычно метод дифракции электронов приводит к локальному разогреву образца, что при сравнительно низкой температуре роста критически сказывается на процессах эпитаксии [122]. Кроме того, в отличие от электронного пучка для оптического луча не требуется высокий вакуум и измерения могут проводиться и в установках высокого давления [123]. С помощью эллипсометрических измерений в настоящее время уже контролируются такие безусловно важные характеристики процесса, как скорость роста, [122, 124, 125]состав твердых растворов [122, 126-132], морфология поверхности роста [122, 125, 133], качество межфазных границ при синтезе сверхрешеток [14, 134] и др. В пионерных работах Хотье с соавторами [124, 134] метод эллипсометрии был применен для контроля in situ процессов эпитаксии слоевGa1 x AlxAs на подложке GaAs [124] и синтеза сверхрешеток GaAs-GaAlAs [134]. Используя автоматический одноволновой эллипсометр авторы в реальном масштабе времени измеряли скорость роста пленки и определяли состав х. Особо было подчеркнуто, что при синтезе сверхрешеток эллипсометрия реального масштаба времени позволяет остановить процесс при точно заданной толщине пленки, что является принципиальным при изготовлении высококачественных структур. Состав слоев находился по измерениям оптических постоянных. Исследование начальной стадии роста Ga0.65Al0.35As выявило аномальное изменение оптических постоянных, которое было связано с переходным слоем между GaAs и AlGaAs. В последующих работах этой группы исследователей [126, 127] было показано, что методом эллипсометрии можно определять также распределение оптических постоянных (а, следовательно, и состав) по толщине синтезируемого слоя. Важный шаг в решении этой задачи был сделан недавно Аспнесом [135]. Он предложил использовть кинетические зависимости эллипсометрических параметров, измеряемых непрерывно в процессе роста пленки и показал возможность определения оптических постоянных выращенного участка без какой-либо информации о его предистории. Альтернативный способ измерения состава при спектральных измерениях использован в работах [127-129]. Определение состава в данном случае основано на зависимости пика поглощения в спектре 2(E),соответствующего критической точке Е1 плотности состояний. Прецизионные измерения диэлектрических функций тройных соединений GaAlAs [26], CdHgTe [27] позволяют постоить соответствующую градуировочную кривую - зависимость E1(x). Используя спектроэллипсометрию in situ в работе [128] исследовался процесс взаимной диффузии при повышенных температурах на гетерогранице CdTe-HgTe. Проводя последовательно отжиг и спектральныеэллипсометрические измерения, авторы наблюдали динамику интердиффузии, определили профиль состава переходного слоя и его толщину. Одна из важных проблем в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии - определение температуры поверхности роста. В условиях сложного лучистого теплообмена гетероструктур температура подложки может заметно отличаться от температуры поверхности роста и изменяться во времени [122], поэтому обычные измерения температуры при помощи термопары, расположенной вблизи подложки, при нестационарных условиях роста дают неверные результаты. Есть несколько работ [136-139], в которых эта задача решалась с использованием эллипсометрических измерений. В работе [139] одновременно с температурой определялась также толщина окисной пленки. Основываясь на температурной зависимости оптических постоянных была показана возможность определения температуры таких полупроводников, как GaAs и Si с точностью до долей градуса. В работе [140] исследована температурная зависимость диэлектрических функций GaAs и предложено использовать для определения температуры положение максимумов в спектре 2(E). Последний вариант предпочтительней тем, что результаты в меньшей степени зависят от неконтролируемых несовершенств поверхности, например, рельефа.


Контроль микроструктуры материалов

        Как известно, под микроструктурой материала подразумеваются объемные неоднородности в масштабе от 1 до 1000 нм. Детальное их изучение, особенно для кремниевой технологии, очень важно, т.к. в конечном итоге от этого зависят рабочие параметры приборов. Аспнес [42, 45] предложил использовать информацию, содержащуюся в спектрах оптических постоянных для характеризации микроструктуры материала. Сравнение диэлектрических функций аморфного и монокристаллического полупроводника показывает, что для первого имеет место широкий пик в спектре 2(E), в то время как второй, обладая дальним порядком, обнаруживает более тонкую структуру поглощения, соответствующую межзонным переходам. Основываясь на этих различиях в спектрах и используя модель эффективной среды [45], можно оценить содержание обеих фаз. Такой подход позволил исследовать слои аморфного Si, получен-ные парофазной эпитаксией при низком давлении [141]. Показано, что в зависимости от температуры и скорости роста получается аморфный кремний различной плотности. Другим примером служит исследование слоев поликристаллическо-го кремния [142]. Из анализа спектров найдено процентное содержание аморфной и кристаллической модификаций кремния и пустот. Проведен-ный затем отжиг показал увеличение доли кристаллического Si за счет уменьшения как аморфного Si, так и пустот. Метод эллипсометрии применялся также для микроструктурной ха- рактеристики приповерхностных нарушений в GaAs, полученных после химико-механической полировки [143], разупорядоченных областей металлов [144] и других материалов [145].


Контроль качества поверхности и процессов адсорбции

        Поверхность играет особую роль в физике полупроводников. С технологической точки зрения качество исходной поверхности при синтезе слоев в значительной степени предопределяет физические характеристики изделия. К этому следует добавить, что тенденция к миниатюризации в микроэлектронике предъявляет также повышенные требования к качеству поверхности полупроводниковых структур. Обладая необходимой чувствительностью, метод эллипсометрии эффективно используется для характеризациисостояния поверхности - обнаружения остаточных слоев, различного рода поверхностных дефектов и нарушений, морфологии и т.д. [11, 30, 146, 147, 148,]. Прецизионные эллипсометрические измерения позволили наблюдать в условиях сверхвысокого вакуума термическую очистку кремния до атомарно гладкой поверхности [149]. Эллипсометрический контроль предъэпитаксиальной подготовки подложек GaAs путем вакуумного отжига осуществлен в [150]. Метод эллипсометрии оказывается чувствительным к структурной перестройке поверхности. Экспериментально такая перестройка наблюдалась для Ge в работе [151]. Недавно был рассмотрен вклад от структуры поверхности в эллипсометрические измерения и предложена модель их интерпретации для Ge(111)(2x1), Si(111)(2x1) и Si(100)(2x1) [152]. Широкое применение находят эллипсометрические методы контроля в технологии плазменной очистки поверхности [12, 108, 109, 153-155]. Наблюдая эволюцию состояния поверхности в процессе обработки можно избавиться от загрязнений и избежать нежелательных эффектов, связанных с воздействием ионов, - нарушений поверхностного слоя, шероховатости и т.д. Обычно для оценки качества поверхности используется степень приближения измеренных оптических констант к их объемным значениям.Этот метод, однако годится в том случае, если известна априорная информация об оптических постоянных материала. Аспнес и Студна предложили критерий качества поверхности полупроводниковых подложек, который не предполагает знания оптических констант [16]. Они обратили внимание, что наличие остаточных пленок и дефектов поверхности значительно сильнее сказывается на параметрах отраженного света в ультрафиолетовой области спектра из-за уменьшения глубины проникновения света. Поэтому всякое несовершенство поверхности приводит к уменьшению амплитуды в пике мнимой части диэлектрической функции, соответствующем критической точке Е2 зонной структуры. Этот критерий, называемый в литературе "biggest is best" (наибольшее является наилучшим) широко применяется при характеризации поверхности полупроводников тетрагональной симметрии [4,16, 18, 20, 21, 23, 24, 26-29, 34-38]. Высокая чувствительность эллипсометрии к состоянию поверхности делает метод удобным инструментом при исследовании адсорбционно-десорбционных процессов [156-162], позволяя регистрировать доли монослоя. Изучение изотерм адсорбции [158,162], т.е. зависимости толщины адсорбированного слоя от относительного давления сорбируемых молекул при данной температуре, позволяет определять термодинамические характеристики процесса, например теплоту адсорбции молекул [160]. Последнее время развивается также разновидность эллипсометрического метода - спектроскопия разностного отражения (reflectance difference spectroscopy - RDS) [163, 164]. Эта методика основана на эффекте поляризационно зависимого взаимодействия света с электронными переходами поверхностных димеров. Поскольку для кристаллов высокой симметрии анизотропия отражения обусловлена исключительно вкладом поверхности, RDS измерения содержат информацию только о самом верхнем монослое и используются для наблюдения за процессами на поверхности роста, контроля состава, стехиометрии, и т.п. [165-167].


Контроль квантоворазмерных структур

        Исследования параметров квантоворазмерных структур и сверхрешеток - сравнительно новая область применения эллипсометрии [168-173]. Одна из первых работ в этом направлении была выполнена Эрманом с сотрудниками [168], где они изучали спектры диэлектрических функций квантоворазмерной структуры GaAs-GaAlAs и изменения в спектрах, наблюдаемые при вариации толщины квантовых ям и барьеров. Им удалось идентифицировать экстремумы в спектрах, которые соответствовали квантовым переходам между подзонами. В работе [169] используя спектроэллипсометрию с переменным углом падения исследовали сверхрешетку GaAs/AlGaAs. Было показано, что измерения хорошо согласуются с моделью, в которой 25 пар слоев сверхрешетки представлено эффективным слоем AlGaAs с некоторым средним составом. Авторы исследовали поведение спектров эллипсометрических параметров при вариации толщин сверхрешеток и ее среднего состава. Исследовали также качество границ раздела. Эллипсометрические измерения не обнаружили смешанных слоев или шероховатости на межфазных границах. Хорошее качество границ раздела подтверждалось также наличием экситонной структуры в спектрах. В работах [170, 171] изучались зависимости квантовых переходов от ориентации подложки при выращивании структуры и от ееё азимутального положения при эллипсометрических измерениях (поляризационно-зависимые эффекты). Отмечается, что эллипсометрические измерения позволяют обнаружить разрешенные и запрещенные переходы в таких структурах [171]. При этом особо подчеркивается, что эллипсометрия - полностью неразрушающий метод, что особенно важно при отработке технологии столь дорогостоящих изделий.


Применение эллипсометрии для автоматизации технологических процессов

        Применение эллипсометрической аппаратуры in situ и в реальном масштабе времени (то есть, когда время измерения и обработки эллипсометрического сигнала меньше характерных для данного процесса времен) открывает возможности создания полностью автоматизированных технологических комплексов. Эллипсометр при этом используется в качестве чувствительного датчика, сигнал с которого поступает на управляющую ЭВМ, обрабатывается и на основе этих данных корректируются параметры технологического процесса. В ряде случаев для этих целей может быть использован одноволновой эллипсометр, например для управления быстропротекающими температурными процессами [174]. При технологических операциях с многослойными структурами используют обычно спектральную аппаратуру. Последнее стало возможным в связи с появлением нового класса быстродействующих спектральных эллипсометров на основе многоканальных фотоприемнкиков [175, 176]. Характерный пример автоматизированной установки создан в корпорации "Техас Инструментс" [177-179]. Одноволновой эллипсометр использован для контроля финишной стадии травления поликристаллического кремния индивидуально на каждой шайбе. Данные эллипсометрических измерений в реальном времени передавались на ЭВМ, управляющую процессом травления. Это позволило контролируемо менять режим травления и избежать вытравливания окисла. В отличие от нерегулируемого процесса при эллипсометрическом контроле удается поддерживать заданную скорость травления в центре шайбы (которая может меняться за счет процесса старения установки) и рассчитать неоднородность травления по шайбе [179]. Процессы травления в многослойных структурах, состоящих из комбинации слоев Si3N4, поликристаллического Si,SiO2, смеси Si3N4 и SiO2, а также процессы роста слоев контролировались с помощью многоканального спектрального эллипсометра [177, 180-182]. Данные спектроэллипсометрических измерений в процессе травления для многослойной структуры обрабатывали на ЭВМ (характерное время обработки составляло несколько секунд) и рассчитывали тощину стравливаемого слоя. На основе этих измерений определялась финишная точка травления. Кроме информации о кинетике травления получали также данные о параметрах структуры на старте технологических операций: толщинах слоев, их составе и т.д. Для технологии соединений А3В5, А2В6 и структур на их основе ключевым моментом является поддержание заданного состава композиционных материалов при их синтезе или распределения состава по толщине при выращивании варизонных структур. В ряде работ сообщается об использовании эллипсометра для наблюдения и управления процессом роста пленок композиционных соединений [183-187] Аспнес с сотрудниками [183], по-видимому впервые для технологии А3В5 реализовали обратную связь "эллипсометр - технологическая установка" и полностью автоматизировали процесс роста слоев GaAlAs, используя эллипсометрические данные для управления потоками молекулярных пучков. Отмечено, что по сравнению с неконтролируемым экспериментом (фиксированными технологическими параметрами) регулируемый таким образом процесс позволил получить пленки более однородные и стабильные по составу. В дальнейшем были получены структуры с заданным распределением состава по толщине [184, 185]. В работе [185] продемонстрированы результаты по выращиванию параболической квантовой ямы шириной 200 А. При этом разброс состава от заданного отклонялся не более чем на 0.05 при глубине ямы 0.3. Следует отметить, что помимо функции управления режимом работы автоматизированных комплексов эллипсометр служит также индикатором сбоев и отклонений в технологических процессах, выдавая сообщение об ошибках оператору. В данном разделе были кратко рассмотрены лишь основные области применения эллипсометрии в микроэлектронике. Для более детального знакомства с этими вопросами можно рекомендовать соответствующие обзоры [87, 188-192].


Измерение оптических характеристик материалов

        Если для полупроводниковых структур измерение оптических постоянных материала является, как правило, промежуточным звеном для исследования электронных или микроскопических свойств, то в оптике именно изучение оптических характеристик образцов в зависимости от условий проведения технологических процессов и эксплуатации (темпе-ратуры, давления, механических напряжений, напряженности полей и т.д.) является основной целью. Широкое применение различных опти-ческих сред, в том числе и оптически анизотропных (гиротропных) в таких областях как кристаллооптика, акустооптика, акустоэлектрони-ка, лазерная физика, приборостроение, создание новых оптических материалов создают потребность в комплексном исследование их опти-ческих свойств (в том числе в процессе получения). Для прозрачных материалов метод не является лучшим по точности, однако имеет свои особенности, которые могут оказаться востребованными. Первая, в отличие от рефрактометрических методов, эллипсометрия несет информацию лишь о приповерхностных слоях материала, поэтому не предъявляется каких либо требований к его объемному совершенству. Кроме того, это становится принципиальным при исследовании образцов со слабо градиентными оптическими свойствами [193]. Вторая, наиболее важная особенность, - возможность измерения оптических постоянных тонких пленок и слоев (оптических покрытий или приповерхностных слоев, возникающих при обработке) [194, 195]. Для кристаллооптики метод эллипсометрии привлекателен, благодаря своей высокой информативности, особенно при исследовании кристаллов низкой симметрии [196]. Эллипсометрические измерения в настоящее время достаточно широко используются при изучении эффектов двойного лучепреломления [197], оптической активности [196], для определения параметров, характеризующих пьезо- [198,199], электро- [200], магнитооптические [201-203] взаимодействия и другие оптические эффекты. При этом отмечается высокая чувствительность метода. Так, например, в работе [204] про демонстрирована эллипсометрическая установка, позволяющая измерять разницу в показателях преломления на уровне 10-9. В ИФП СО РАН разработаны эллипсометрические методики измерения параметров анизотропных систем типа анизотропная подложка/изотропная пленка и изотропная подложка/анизотропная пленка при любой ориентации оптической оси подложки или пленки [205]. Также реализованы методики: одновременного определения двулучепреломления и дихроизма оптических кристаллических материалов; определения собственных поляризаций поляризующих оптических систем и измерения нормированных элементов матрицы Джонса для любой недеполяризующей оптической системы.


Контроль состояния обработки оптических поверхностей

        Одна из важнейших задач оптической технологии - контроль состояния полированной оптической поверхности. В результате обработки оптических стекол, кристаллов, керамик, металлов на их поверхности образуется слой, свойства которого (физико-химические, оптические, механические и др.) отличаются от объемных [206]. Природа этого, такназываемого, модифицированного поверхностного слоя связана с наличием микротрещин, измененным химическим составом, включением инородных частиц и т.п. Модифицированные слои определяют состояние поверхностей готовых оптических изделий, поэтому их исследования позволили выявить общие закономерности изменения коэффициентов отражения и пропускания при полировке [207], влияние полирующего абразива [208] и удельного давления [209] на оптические свойства поверхности. Состояние обработки оптических деталей особенно существенно для внутрирезонаторных оптических элементов лазерных устройств. В работе [210] показано, что эллипсометрические измерения параметров поверхности внутрирезонаторных оптических элементов коррелируют с величиной потерь излучения и могут служить количественной характеристикой их качества. В практике получения крупногабаритных оптических поверхностей высокого качества (астрооптика, лазерная оптика и т.д.) в ИФП СОРАН предложено использовать упрощенные, так называемые, "накладные" эллипсометры, позволяющие производить контроль состояния поверхности в заданных точках [205]. Другой аспект применения эллипсометрии в оптической технологии - контроль рельефа полированных оптических поверхностей стеклянных и металлических зеркал. Данные эллипсометрических измерений являются критерием "готовности" поверхности при полировке. Проблемаэта очень актуальна для силовой оптики, т.е. для оптических устройств с высокой плотностью электромагнитного излучения. В качестве примера можно отметить влияние шероховатости на отражающие свойства и долговечность металлических зеркал, используемых в квантовых генераторах высокой мощности. Разработанные методы интерпретации эллипсометрических измерений шероховатой поверхности [211, 212] позволяют определять статистические размеры рельефа оптических деталей при их полировке [213] или при напылении металлических покрытий [214]. Добавочная информация, появляющаяся при спектроэллипсометрических измерениях, позволяет кроме того оценивать степень достоверности полученных результатов [215]. Таким образом, метод эллипсометрии становится лидирующим неразрушающим методом контроля состояния оптической полированной поверхности. Он реально позволяет активно контролировать процесс обработки оптической поверхности, управлять им и останавливать при достижении наилучших параметров.


Контроль параметров поверхностей оптических изделий

       Метод эллипсометрии применялся в интегральной оптике для исследования оптических характеристик планарных волноводов [193, 3.40, 41]. Профили показателя преломления многомодовых волноводов обычно достаточно точно восстанавливаются с помощью обратного ВКБ-метода [216], однако для одномодовых волноводов (или при малом числе мод) этот метод не работает. Эллипсометрические измерения позволяют находить показатели преломления на поверхности диффузионных волноводов, восполняя недостающую информацию. Методом эллипсометрии были исследованы также приповерхностные слои, полученные направленным физико-химическим воздействием: высокотемпературной диффузией железо-иттриевого граната [217], ионной обработкой поверхности кварцевого стекла [218], при выщелачивании свинцово-силикатных стекол [219].


Контроль процессов синтеза оптических многослойных тонкопленочных покрытий

        Эллипсометрия в процессах синтеза оптических покрытий успешно применяется при отработке новых технологий и исследовании параметров пленкообразующих материалов [220-223], а также для характеризации оптических покрытий различного функционального назначения: оптических фильтров [224], зеркал рентгеновского диапазона [225-227], антиотражающих покрытий для солнечных батарей [228, 229] и прочих устройств [230-233]. В работе [220] изучались оптические свойства слоев CaF2, нанесенных на кремниевую подложку при различных условиях. Эллипсометрические исследования позволили установить в пленке наличие пор и определить их процентное содержание в зависимости от ее толщины и температуры синтеза. Исследовались также эффекты взаимодействия пленки и подложки, приводящие к размытию межфазной границы. В ряде работ [225, 227, 233] осуществлен контроль различных характеристик (толщин и оптических постоянных слоев, скорости роста, качества границ раздела и т.п.) непосредственно в технологическом процессе, используя кинетические эллипсометрические измерения in situ? Фирма "Leybold-Heraeus GMBH" впервые применила одноволновый эллипсометр следящего типа в промышленных установках вакуумного напыления. Однако, точность такого эллипсометра при напылении большого колическтва слоев (>10) существенно снижается, вследствие суммирования погрешностей, возникающих при изготовлении каждого отдельного слоя. В ИФП СО РАН разработана методика использования в процессах синтеза оптических покрытий спектрального эллипсометра индикаторного типа [205]. В данной методике исключено влияние неидеальности параметров предыдущих слоев на результаты контроля последующих слоев. Кроме того спектроэллипсометр позволяет с высокой точностью контролировать разнотолщинные слои и обходиться без вычислительной техники.


Контроль качества и формы полированных оптических поверхностей

        Контроль качества (чистоты) оптических полированных поверхностей на практике производится в настоящее время, в основном, визуально с использованием луп и микроскопов и практически не поддается автоматизации. Необходимость выявления дефектов с размерами до единиц микрона требует большого напряжения зрения и существенных трудозатрат. В ИФП СО РАН разработана эллипсометрическая методика оценки качества плоских оптических полированных поверхностей (например, пластин) с помощью автоматического эллипсометра высокого простран-ственного разрешения "Микроскан" [205]. Эллипсометр с высоким разрешением сканирует поверхность детали и объективно определяет с помощью предложенного "критерия качества" ее дефектность и соответственно годность для дальнейшего использования. Кроме того на эллипсометре "Микроскан" можно производить контроль плоскостности оптических поверхностей с погрешностью не хуже 1/20. В отличие от интерферометрического метода, в данном случае может быть получена строго документированная и наглядная карта формы поверхности. Также эллипсометр "Микроскан" можно использовать для контроля устойчивости оптических полированных поверхностей к воздействию пятнающих реагентов химического и биологического происхождения, (что важно при эксплуатации оптических приборов в условиях теплой влажной атмосферы и тропиков), загрязненности оптических поверхностей и запыленности чистых помещений.


Применение эллипсометрии в электрохимии

        На сегодняшний день имеется обширная библиография по эллипсо-метрическим исследованиям в электрохимии [234-236], что свидетельствует о большой популярности метода в этой области. Это связано главным образом с возможностью измерений in situ, т.к. эллип сометрия-единственный в своем роде метод, обладающий способностью в развитии наблюдать формирование и рост поверхностных пленок в электролите. Эта информация оказывается особенно полезной в сочетании с электрохимическими измерениями. Исследуются такие процессы, как адсорбция ионов в зависимости от потенциала электродов 237], коррозия металлов и сплавов в хи-мически активных средах и пассивация их поверхности [238-243], а также рост и формирование анодных окисных пленок [244-247]. Следует отметить особенность эллипсометрических измерений в электрохимии: оптические постоянные пленки и подложки могут меняться с изменением потенциала (эффект электроотражения), а оптические постоянные пленки меняются также и от времени взаимодействия с электролитом. Так, Гриф [244] исследуя процессы адсорбции в электролите на поверхности золота, показал, что при этом происходит изменение оптических постоянных Au, которое связано с уменьшением плотности электронов в поверхностном слое. Коррозионные процессы изучались для разных металлов и при различных химических и механических воздействиях. Так, в [238] изучались локальные коррозионные процессы на поверхности железа. Несмотря на трудности количественной интерпретации измеренных данных, авторы отмечают, что эллипсометрия дает много качественной информации: - позволяет определять начало образования ямок травления при коррозии; - обнаруживает изменения в пассивирующей пленке перед началом образования ямок; - позволяет измерить скорость репассивации при сошлифовывании предохраняющей пленки. Большое число работ посвящено исследованию роста и свойств пассивирующих пленок [239, 240], их устойчивости в зависимости от кислотности среды [241], ориентации металлической подложки [242], атакже при повышенных температурах и давлении [243]. Эллипсометрия оказывается незаменимым аналитическим методом при изучении процессов выращивания анодных окислов и отработке воспроизводимых режимов получения качественных диэлектрических слоев. Технологические проблемы встают особо остро при анодировании полярных полупроводников типа А3В5 или тройных полупроводниковых соединений, где процессы массопереноса имеют более сложный характер [28]. Метод эллипсометрии привлекается для решения таких проблем анодирования в электролите, как: - исследование начальной стадии зародышеобразования; - измерение скорости роста анодно-окисных пленок; - измерение оптических постоянных пленок и их распределения по глубине; - определение плотности осажденного материала из сравнения с электрохимическими измерениями; - исследование процессов роста - растворения пленок, которые сопровождаются также коррозией подложки. В одном из последних обзоров по применению эллипсометрии в электрохимии [244] отмечается, что поскольку исследования электрохимических процессов проводят в динамике, то предпочтение отдается эллипсометрической аппаратуре с высоким временным разрешением, а спектральное разрешение отодвигается на второй план (следует однако отметить, что применение быстродействующих многоканальных эллипсометров позволяет решать обе эти задачи одновременно [248]). В качестве примера применения эллипсометрии в [244] приводится эллипсометрический контроль роста пленки PbO2 на платиновой подложке. Обработка экспериментальных данных и численное моделирование привели к следующим результатам: обнаружено очень малое время образование зародышей, определены скорость роста пленки, ее оптические постоянные, плотность (относительно кристаллической фазы). Кроме того, из наблюдаемых в конце процесса расхождений между экспериментом и модельным расчетом сделан вывод о возможном развитии рельефа поверхности. Проблема начальной стадии роста - образование зародышей - более подробно проанализирована в работе [245], где показано, что эллипсометрия дает информацию о поверхностной плотности зародышей и дисперсии их размеров. Эллипсометрические исследования роста анодного окисла на алю-минии [115] обнаружили градиентное изменение оптических постоянных по толщине пленки, это связывалось с большей пористостью внешних слоев из-за контакта с электролитом и частичного растворения. Более того, после прекращения анодирования электролит продолжает проникать в пленку и приводит к изменению ее оптических постоянных по всей толщине. Такой вывод был сделан из анализа изменений эллипсометрических параметров в процессе растворения анодного окисла при отрицательном потенциале. После растворения пленки наблюдались аномальные (в рамках однослойной модели) изменения и , которые были интерпретированы как огрубление поверхности с последующим ее выглаживанием. Резюмируя результаты рассмотренных работ можно отметить, что метод эллипсометрии позволяет изучать механизмы формирования пле-нок при электрохимических реакциях и их свойства в зависимости от различных физико-химических условий выращивания: плотности тока, потенциала, состава электролита, температуры и т.д.


Исследование процессов на границе раздела фаз

        Граница раздела фаз (жидкость - пар, твердое тело - пар, твердое тело - раствор) является наиболее интересной областью с точки зрения протекания химических реакций. Как правило, на границе раздела фаз наблюдается адсорбция. Исследование адсорбции молекул на твердых подложках [270-272] или на поверхности жидкостей [273] позволяет понять процессы молекулярного взаимодействия и характеризовать начальные стадии роста органических соединений (хемосорбция). Из эллипсометрических измерений можно с высокой точностью определить толщины адсорбированных слоев, и построить изотермы адсорбции [271] (зависимости толщины адсорбируемого материала от давления адсорбатапри данной температуре) - термодинамические характеристики процесса. Кроме того, исследования адсорбции несут информацию об изменениях в строении адсорбируемых органических макромолекул, о скорости процесса, об условиях, в которых он имеет место [273], а также позволяют наблюдать фазовые переходы [274]. Другие примеры анализа межфазных границ - исследование поверхностных пленок на границе раздела жидкость-пар [275-277] и процессов расслаивания бинарных систем в области температур, близких к критической [276, 278].


Исследование пленок высокомолекулярных соединений

        Наибольший интерес представляют эллипсометрические исследова-ния роста слоев in situ, так как они позволяют получить много цен-ной информации о механизмах роста [279], исследуются также свойс-тва пленок ex situ после различных технологических операций и в процессе хранения [280, 281]. Основные характеристики, получаемые приэллипсометрическом контроле связаны с измерением толщины пленок и их оптических постоянных. а) Толщина пленки и скорость роста. Изучение кинетических характеристик роста в зависимости от технологических условий позволяет изучать механизмы протекания реакции и эмпирически установить закон роста. Измерением толщины наблюдали эффект изменения конформации молекул (пространственной реорганизации молекул, проходящей без разрыва молекулярных связей) [282]. В работе [283] с помощью эллипсометрических измерений исследовался процесс удаления полимерной пленки при облучении светом ультрафиолетового диапазона. Изменение толщины при хранении пленки на воздухе [281] позволило наблюдать эффект расслаивания. Эллипсометрическое топографирование использовалось при отработке технологии плазменной полимеризации сверхтонких органических пленок [284].Точное измерение толщины использовалось также для интерпретации данных других методов [285, 286]. Так в [286] прецизионные измерения толщины органических пленок использовались для определения вязкости и упругости исследуемых сред. б) Оптические постоянные слоя. Прежде всего оптические постоянные чувствительны к плотности синтезируемых пленок и наличию инородных включений, а также зависят от состава и молекулярной структуры пленки [287, 288]. Например, в [289] незначительно заниженные значения показателя преломления связывались с содержанием воды в полимерной пленке, а обнаруженное поглощение объяснялось за счет частичного разрыва сопряженных ароматических колец. Контроль оптических постоянных позволил наблюдать полимеризацию органических пленок при комнатной температуре [288] и в плазме [290], а также модификацию пленок при их плазменной обработке [291]. Оптическая неоднородность пленок по толщине свидетельствует, как правило, об их структурной неоднородности [292]. В [293] обнаружено уменьшение показателя преломления с ростом толщины пленки антрацена, на основании этого был сделан вывод о влиянии поверхностных состояний на экситонные возбуждения. Несколько подробнее следует остановиться на исследованиях пленок Лэнгмюр-Блоджет - организованных длинных цепочек органических соединений, нанесенных на твердую подложку по особой технологии. Интерес к эллипсометрическим исследованиям таких систем связан с оптической анизотропией пленок, обусловленной их молекулярным строением. Определяемые эллипсометрией значения оптических постоянных для обыкновенного и необыкновенного лучей, а также ориентация оптических осей относительно поверхности служит исходной информацией для определения состава и оценки степени ориентации молекулярных групп [294-296]. Следует отметить работу [297], где изучали процессы удаления органических соединений с хромовых и поливинилхлоридных поверхностей с помощью специальных моющих средств. Отмечается, что методика позволяет проследить процесс отмывки во времени. Таким образом, эллипсометрия может быть эффективно использована как в процессах нанесения слоев, так и при их удалении.


Список литературы

  • 1. Drude P. Uber die Gesetze der Reflexion und Brechung des Lichtes an der Grenze absorbiereder Krystalle //Ann.Phys.,1887, B.32, S.584.
  • 2. Drude P. Uber Oberflaschenscichten //Ann.Phys.,1889, B.36, S.532 (1 Teile), 865 (2 Teile).
  • 3. Drude P. Beschtimmung der Optiscen Konstanten der Metalle // Ann.Phys.,1890, B.39, S.481.
  • 4. Arvin H., Aspnes D.E. Unabiguous determination of thickness and dielectric function of thin films by spectrqscopic ellipsometry //Thin Sol.Films, 1984, v.l 13, p.101-113.
  • 5. SOPRA, 26, Pierre-Joigneaux F 92270 Bois-Colombes, France.
  • 6. Ilsin An, Li M.J., Nguyen H.V., Collins R.W. Spectroscopic ellipsometry on the millisecond time scale for real-time investigations of thin film and surface phenomena // Rev.Sci.Instr., 1992, v.63,No8, p.3842-8.
  • 7. Collins R.W Ilsin An, Nguyen H.V. Yuiwei Lu. Real time spectroscopic ellipsometry for characterization of nucleation, growth, and optical functions of thin films.// Thin Sol.Films, 1993, v.233,Nol-2,p.244-52.
  • 8. An I., Nguyen H.V., Heyd A.R., Collins R.W. Simultaneous real-time spectroscopic ellipsometry and reflectance for monitoring thin-film preparation.// Rev.Sci.Instr., 1994, v.65, no.ll,p.3489-500.
  • 9. Zettler J.T. Modulation ellipsometry - a new technique for the characterization of semiconductor materials and complex semiconductor structures.//.Physica Status Solidi A 1990, vol.H9,no.l,p.K91-5.
  • 10. Burggraaf P. Thin film metrology: headed for a new plateau.//Semiconductor International 1994 v.l7, no.3,p.56-60.
  • 11. Boher P., Giron F., Houdy P, Beauvillain P., Chappert C Veillet P. Magnetoresistive multilayers Co/Си: effect of crystallographic orientation. //Journal de Physique IV (Colloque),1992, v.2, по.СЗ, p.169-75.
  • 12. Raynaud P., Booth J.P., Pomot C. Hydrogen plasma treatment of silicon surfaces studied by in-situ spectroscopic ellipsometry. //Appl.Surf.Sci., 1990, v.46, p.435-40.
  • 13. Sung K.T., Pang, S.W. Oxidation of silicon in an oxygen plasma generated by a multipolar electron cyclotron resonance source. //J.Vac.Sci.Technol. В , 1992 v.10, no.5,p.2211-16.
  • 14. Pellegrino J., Qadri S.B., Amirtharaj P.M., Nguyen N.V., Comas J. Interface sharpness in low-order III-V superlattices.//Thin Sol.Films, 1992,v.220, no. l-2,p. 176-83.
  • 15. Fowler В., O'Brien E. Relationships between the material properties of silicon oxide films deposited by electron cyclotron resonance chemical vapordeposition and their use as an indicator of the dielectric constant.//!.Vac.Sci.Techn. B, 1994, v.12, no.l, p.441-8.
  • 16. Aspnes D.E., Studna A.A. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, aAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys.Rev. B, 1983, v.27, No2, p.985-1009.
  • 17. Aspnes D.E Extending scanning ellipsometric spectra into experimentally inaccessible region // Surf.Sci.,1976, v.56, No 1, pp.322-333.
  • 18. Vina L, Logothetidis S.,Cardona M. Temperature dependence of the dielectric function of germanium //Phys.Rev.B, v.30, No 4, p. 1979-91.
  • 19. Jettison G.E. Optical functions of silicon determined by twochannel polarization ellipsometry // Optical Materials, 1992, v.l, p.41-47.
  • 20. Vina L, Cardona M. Optical properties of ultraheavily doped germanium: Theory and experiment // Phys.Rev. B, 1986, v.34, No 4, pp.2586-97.
  • 21. Vina L, Cardona M. Effect of heavy doping on the optical properties and the band structure of silicon // Phys.Rev. B., 1984, v.29, No 12, pp.6739-51.
  • 22. de Sande J.C.G., Afonso C.N., Escudero, J.L., Serna R.,Catalina, F.; Bernabeu, E.Optical properties of laser - deposited a-Ge films: a comparison with sputtered and e-beam - deposited films.//Appl.Opt, 1992 v.31, no.28, p.6133-8.
  • 23. Aspnes D.E., Studna A.A., Kinsbron E. Dielectric properties of heavyly doped crystalline and amorphous silicon from 1.5 to 6.0 eV //Phys.Rev. B.,1984, v.29, No 2, pp.768-779.
  • 24. Suto K., Adachi S. Optical properties of ZnTe // J.Appl.Phys. 1993, v.73, No 2, pp.926-931.
  • 25. Adachi S., Kimura T., Suzuki N. Optical properties of CdTe: Experiment and modeling // Journ.Appl.Phys., 1993, v.74, no 5, p.3435-41.
  • 26. Aspnes D.E., Kelso S.M.,Logan R.A.,Bhat R. Optical properties of AlxGalxAs //JAppl.Phys. 1986, v.60, No 2, p.754-67.27.
  • 27. Vina L, UmbachC., Cardona M., Vodopyanov L. Ellipsometric studies of electronic interband transitions in CdxHglxTe // Phys.Rev. B., 1984, v.29, No 12, p.6752-60.
  • 28. Arvin H., Aspnrs D.E. Nondestructive analysis of CdxHglxTe (x=0.00, 0.20, 0.29, and 1.00) by spectroscopic ellipsometry. 2.Substrate, oxide, and interface properties // J.Vac.Sci. Technol.A, 1984.,v.2,No 3, p.1316-1323.
  • 29. Burkhard H., Dinges H.W., Kuphal E. Optical properties of InlxGaxPl yAsy, InP, GaAs, and GaP determined by ellipsometry // J.Appl.Phys., 1982, v.53, p.655-62.
  • 30. Pascual E., Lousa A., Bertram E. Ellipsometric characterization of surface oxidation in polycrystalline Zn3P2 thin films. //Thin Sol.Films, 1992, v.214, no.l, p.74-7.
  • 31. Hu Y.Z., Zettler J.-Th., ChongsawangvirodS., Wang Y.Q., Irene E.A. Spectroscopic ellipsometric measurements of the dielectric function of germanium dioxide films on crystal germanium. //Appl. Phys. Lett., 1992, v.61, no.9, p. 1098-100.
  • 32. Biswas D., Lee H., Salvador A., Klein M. V., Morkoc H. Characterization of InxGal xP/GaAs grown by gas source molecular-beam epitaxy (0.35< x <0.60) by spectroscopic ellipsometry. //J.Vac.Sci.Techn. B, 1992, v.10, no.2, p.962-5.
  • 33. Vina L., Garriga M., Cardona M. Spectral ellipsometry of semiconductors and semiconductor structures. //Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1990 v. 1286, p. 111 -24.
  • 34. Lautenschlager P., Carriga M., Logothetidis S., Cardona M. Interband critical points of GaAs and their temperature dependence //Phys.Rev. B, 1987, v.35, No 17, p.9174-89.
  • 35. Lautenschlager P.,Carriga M.,Cardona M. Temperature dependence of the interband critical-point parameters of InP // Phys.Rev. B, 1987, v.36, No 9, p.4813-20.
  • 36. Lautenschlager P., Carriga M., Vina L., Cardona M. Temperature dependence of the dielectric function and interband critical points in silicon //Phys.Rev. B, 1987, v.36, No 9,p.4821-30.
  • 37. Logothetidis S., Cardona M., Lautenschlager P., Carriga M, Temperature dependence of the dielectric function and the interband critical points of CdSe // Phys.Rev. B, 1986,v. 34, No 4, p.2458-69.
  • 38. Logothetidis S., Polatoglou H.M. Ellipsometric studies of the dielectric function of SnSe and a simple model of the electro-nic structure and the bonds of the orthorombic 4-6 compounds // Phys.Rev. B, 1987, v.36, No 14, p.7491-99.
  • 39. Ржаное А.В. Эллипсометрия - эффективный метод исследования поверхности твердых тел и тонких пленок. В кн."Современные проблемы эллипсометрии",Новосибирск, "Наука", 1980, с.4-11.
  • 40. Din-Guo Chen, Potter B.C. Simmons, J.H. GeO2-SiO2 thin films for planar waveguide applications. //Journ.Non-Cryst. Sol., 1994 v.178, p. 135-47.
  • 41. Boudreau M., Boumerzoug M., Kruzelecky R.V., Mascher P., Jessop P.E., Thompson D.A. Electron cyclotron resonance CVD of silicon oxynitride for optoelectronic applications.// III-V Electronic and Photonic Device Fabrication and Performance. Ed.: Jones K.S., Pearton S.J., Kanber, H. Pittsburgh, PA, USA: Mater. Res. Soc, 1993, p.183-8
  • 42. Aspnes D.E. Microstructural information from optical properties in semiconductor technology // SPIE v.276 Optical Characterization Techniques for Semiconductor Technology, 1981, p. 188-195.
  • 43. Trolier-McKinstry S. Spectroscopic ellipsometry studies of ferroelectric thin films. //Ferroelectrics, 1994, v.152, no. 1-4, p. 169-74.
  • 44. Kroesen G.M. W., Oehrlein G.S., de Presort E., Scilla G.J. Thomas J. Refractive index determination of SiGe using reactive ion etching ellipsometry: Application for the depth profiling of the Ge concentration. // Appl.Phys.Lett., 1992, v.60, no.l 1, p. 1351-3.
  • 45. Aspnes D.E. Optical properties of thin films // Thin Sol.Films 1982, v.89, p. 249-262.
  • 46. Gombert A., GrafW., Heinzel A., Joerger R., Kohl M., Weimar U. Determination of the refractive index of metal/ceramic compositesand their components by spectroscopic ellipsometry and effective medium theories.// Thin Sol.Films, 1993, v.234, no. 1-2, p.327-31.
  • 47. Canham L.T., Cullis A.G., Pickering C., Dosser O.D., Cox T.I., Lynch T.P.Luminescent anodized silicon aerocrystal network prepared by supercritical drying. // Nature, 1994v.368, no.6467, p.133-5.
  • 48. Pickering C., Carlinc R.T., Robbing D.J. et al. Spectroscopic ellipsometry characterization of strained and relaxed SilxGex epitaxial layers. // J.Appl.Phys.,1993, v.73, No 1,p. 239-50.
  • 49. Pickering C., Carline R.T., Robbins D.J., Leong W.Y., Barnett S.J., Pitt A.D., Cullis A.G. Spectroscopic ellipsometry characterization of strained and relaxed Sil xGex epitaxial layers. // Journ. Appl.Phys., 1993, v.73, no.l, p.239-50.
  • 50. Taft E.,Cordes L. Optical evidence for a silicon-silicon oxide interlayer //J.Electr.Soc.,1979,v.l26.,No 1, pp.131-4.51.
  • 51. Layadi N., Roca г Cabarrocas P., Yakovlev V., Drevillon 5.Study by real time ellipsometry of the growth of amorphous and microcrystalline silicon thin films combining glow discharge decomposition and UV light irradiation.// Thin Sol. Films 1993, v.233, no. 1-2, p.281-5.
  • 52. Yakovlev V., Drevillon В., Layadi N., Roca i Cabarrocas P. Recent in-situ studies of the evolution of surfaces and interfacesof thin films by spectroscopic phase modulated ellipsometry (silicide formation).// Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1993, v.1803, p.272-82.
  • 53. Drevillon B. In situ haracterization of thin film semiconductors by spectroellipsometry from ultraviolet to infrared.// Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1992, v.1678, p.258-67.
  • 54. Nguyen H. V., llsin An, Collins R. W., Yiwei Lu, Wakagi M., Wronski C.R. Preparation of ultrathin microcrystalline silicon layers by atomic hydrogen etching of amorphous silicon and end-point detection by real time spectroellipsometry. // Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, no.26,p..3335-7.
  • 55. Drevillon, B. In situ studies of semiconductor processes by spectroellipsometry. //Appl. Surf. Sci., 1993, v.63, no. 1-4, p.27-34.
  • 56. Bergonzo P., Boyd I.W. Photodeposition of oxynitride and nitride films using excimer lamps. Microelectronic Engineering, 1994, v.25, no.2-4, p.345-50.
  • 57. Bergonzo, P.; Boyd, I.W. Rapid photochemical deposition of silicon dioxide films using an excimer lamp.// Journ. Appl. Phys., 1994, v.76, no.7, p.4372-6.
  • 58. Bergonzo P., Kogelschatz U., Boyd I.W. Photo-CVD of dielectric materials by pseudo-continuous excimer sources. //Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1994, v.2045, p. 174-81.
  • 59. Campmany J., Camillas A., Andujar J.L., Costa J., Bertran E. In situ real-time ellipsometric study of the growth of RF plasma deposited amorphous hydrogenated silicon oxynitride thin films.// Thin Sol. Films, 1993, v.228, no. 1-2, p. 137-40.
  • 60.' Szorenyi .T., Gonzalez P., Fernandez D., Pou J., Leon B.,Perez-Amor M. Gas mixture dependence of the LCVD of SiO2 films using an ArF laser. //Appl. Surf. Sci., 1990, v.46, p.206-9. 11
  • 61. Eisele K.M., Rothermund W., Dischler B. Photolytic silicon nitride deposition for gallium arsenide by 193 nm excimer laser radiation.// Vacuum, 1990, v.41, no.4-6, p.1081-3.
  • 62. Pai C.S., Chang C.-P., Baiocchi F.A. Material properties of plasma-enhanced chemical vapor deposition fluorinated silicon nitride.// Journ. Appl. Phys., 1990, v.68, no.5, p.2442-9.
  • 63. Hofsass H., Binder H., Klumpp T., Recknagel E. Doping and growth of diamond-like carbon films by ion beam deposition. // Diamond and Related Materials, 1994, v.3, no. 1-2, p. 137-42.
  • 64. Rengan A., Narayan J., Jahnke C., Bedge S. Characteristics of diamond-like carbon films formed by a hybrid laser-plasma ablation of graphite.// Materials Science & Engineering B, 1992,v.B15,no.l,p.l5-24.
  • 65. Scheibe H.-J., Siemroth P., Schoneich B., Mucha A. Diamond-like carbon film preparation by laser arc.// Surface and Coatings Technology, 1992 v.52, no.2, p. 129-33.
  • 66. Pappas D.L., Saenger K.L., Bruley J., Krakow W., Cuomo J.J., Gu T., Collins R. W. Pulsed laser deposition of diamond-like carbon films.//Journ.Appl.Phys., 1992, v.71, no.ll, p.5675-84.
  • 67. Nabot J.-P., Andre B., Paidassi S. Diamond-like carbon films prepared by various ion-beam-assisted techniques.// Surface and Coatings Technology, 1990, v.43-44, no. 1-3, p.71-9.
  • 68. Yue Cong, Collins R.W., Windischmann H. Spectroellipsometry characterization of optical quality vapor-deposited diamond thin films.// Appl.Phys.Lett, 1991, v.58, no.8, p.819-21.
  • 69. Krishnaswamy J., Rengan A., Srivatsa A.R., Matera G., Narayan J. Laser and plasma enhanced deposition of diamond and diamondlikefilms by physical and chemical vapor deposition techniques.// Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1990,v.ll90, p. 109-17.
  • 70. Hu Y.Z., Joseph J., Irene E.A. Applications of in situ ellipsometry to microwave electron cyclotron resonance plasma processes.// J.Vac.Sci.Techn. A , 1993, v.ll, no.4, pt.2,p. 1786-91.
  • 71. Sung K.T., Pang S.W. Low temperature silicon oxidation with electron cyclotron resonance oxygen plasma. //Photons an Low Energy Particles in Surface Processing Symposium. Eds.: Ashby C.I.H., Brannon J.H., Pang S.W.Pittsburgh, PA, USA: Mater. Res. Soc,1992, p.319-24
  • 72. Sung K.T., Pang S.W. Low temperature silicon oxidation with electron cyclotron resonance oxygen plasma.// Phase Formation and Modification by Beam-Solid Interactional Symposium. Eds: Was G.S., Rehn L.E., Follstaedt D.M. Pittsburgh, PA, USA: Mater. Res. Soc,1992.p.781-6of
  • 73. Stonnington K.D., Hsieh K.Y., KingL.L.H., Bachman K.J., KingonA/. Synthesis and characterization of SiO2 films deposited usingtetraethylorthosilicate/ozone at low processing pressures (10-1 to 10-3).// J.Vac.Sci.Techn. A, 1992, v.10, no.4, pt.l, p.970-3.
  • 74. Kuroki H., Shinno H., Nakamura K.G., Kitajima M., Kawabe, T. Plasma density dependence of the oxidation rate of Si by in situduring process rapid ellipsometry .// Journ.Appl.Phys., 1992, v.71, no. 10, p.5278-80.
  • 75. Joseph J., Hu Y.Z., Irene E.A. A kinetics study of the electron cyclotron resonance plasma oxidation of silicon.// J.Vac.Sci.Techn. B , 1992 v.10, no.2, p.611-17.
  • 76. Fernandez D., Gonzalez P., Pou J., Leon B., Perez-Amor M. Low-temperature silicon oxide films deposited using a CO2 laser.// Appl. Surf. Sci., 1992 v.54, p. 112-16.
  • 77. Huron J., Guldan A. Silicon oxide films prepared by plasma oxidation of silicon and their application for tunnel MIS diodes.// Acta Physica Slovaca, 1990, v.40, no.2, p.108-15.
  • 78. Gonzalez P., Garcia E., Pou J., Fernandez D., Leon B., Perez-Amor M. Excimer laser CVD of silicon oxide on GaAs: a comparison with deposition on c-Si.// Appl.Surf.Sci. 1992, v.54, p. 108-11.
  • 79. Leech P.W., Moore R.L., Crisman E.E., Roberts C.B., Stiles P.J. Analysis of plasma oxidised Hgl xCdxTe surfaces.// Chemical Surface Preparation, Passivation and Cleaning for Semiconductor Growth and Processing Symposium. Eds: Nemanich R.J., Helms C.R., Hirose M., Rubloff G.W. Pittsburgh, PA, USA: Mater. Res. Soc, 1992. p.269-74
  • 80. Maya, L. Deposition of amorphous hydrogenated silicon carbide films using organosilanes in an argon/hydrogen plasma.// J.Vac.Sci.Techn.A , 1994, v. 12, no.3, p.754-9.
  • 81. Fukarek W., Kersten H. Application of dynamic in situ ellipsometry to the deposition of tin-doped indium oxide films by reactive direct-current magnetron sputtering. //J.Vac.Sci.Techn. A 1994, v.12, no.2, p.523-8.
  • 82. Callegari A., Pomerene A.T., Hovel H.J., Babich E.D., Purushothaman S., Shaw J.M., Optical properties of hydrogenated amorphous-carbon film for attenuated phase-shift mask applications // J.Vac.Sci.Techn. B, 1993, v.l 1, no.6, p.2697-9.
  • 83. Ogata K., Andoh Y., Sakai S., Fujimoto F. Crystalline orientation control for aluminum nitride films prepared by ion-beam-assisted technology.// Nuclear Instruments & Methods in Physics Research, Section B (Beam Interactions with Materials and Atoms), 1991,v.B59-B60,pt.l,p.229-32.
  • 84. Dawson-Elli D.F., Fung C.A., Nordman J.E. DC reactive magnetron sputtered NbN thin films prepared with and without hollow cathode enhancement.// IEEE Transactions on Magnetics 1991, v.27, no.2, pt.2, p. 1592-5.
  • 85. Ishida M., Ashiki M., Sawada K., Yamaguchi S., Nakamura T. Epitaxially stacked structures of Si/A12O3/Si for sensor materials.// Sensors and Actuators A (Physical), 1990, v.A21,no.l-3,p.267-70.
  • 86. Yakovlev V., Drevitton B., Layadi N., Roca i Cabarrocas P. Real-time spectroellipsometry investigation of the interaction ofsilane with a Pd thin film: formation of palladium silicides.// Journal of Applied Physics, 1993, v.74, no.4, p.2535-42.
  • 87. Rzhanov A. V., Svitashev K.K. Ellipsometric techniques to study surfaces and thin films // Advances in electronics and electron physics 1979, v.49, p 1-84.
  • 88. Irene E.A.,DongD.W. Ellipsometry measurements of polycrystalline silicon films //J.Electrochem. Soc., 1982, v. 129, No 6, p. 1347-53.
  • 89. Vasquez B., Tompkins H.G., Gregory R.B. A special case of using ellipsometry to measure the thickness of oxide on polysilicon. II. Application. // Journal of the Electrochemical Society, 1990, v.l37, no.5, p. 1523-6.
  • 90. Bu-Abbud G.N.,Bashara N.M. Parameter correlation and presicion in multiple angle ellipsometry // Appl.Opt, 1981, v.20, No 17, p.3020-26.
  • 91. Vanhellemont J.,Maes H.E. De Veirman A. Spectroscopic ellipsometry and transmission electron microscopy study of annealed high-dose oxigen implanted silicon //J.Appl.Phys.,1989, v.65, No 11, p.4454-6.
  • 92. Vedam K.,McMarr PJ.,Narayan J. Nondestructive depth profiling by spectroscopic ellipsometry//Appl. Phys. Lett. 1985, v.47, No 4, p.339-41.
  • 93. Sieg R.M., Alterovitz S.A., Croke E.T., Harrell M.J., Tanner M., WangK.L, Mena R.A., Young P.G. Characterization of SixGel x/Si heterostructures for device applications using spectroscopic ellipsometry.// Journal of Applied Physics, 1993, v.74, no.l,p.586-95.
  • 94. Lynch S., Crean G.M., GreefR., Stoemonos J. Criteria for the extraction of S1MOX material parameters from spectroscopic ellipsometry data.// Applied Surface Science, 1993,vol.63,no.l-4, p.40-4.
  • 95. Morgen P., Silberman J.A., Lindau I., Spicer W.E., Wilson J.A. AES sputter profiles of anodic oxid films on (Hg,Cd)Te // J.Vac.Sci.Technol., 1982, v.21, No 1, p.161-3.
  • 96. Paneva A., Szekeres A. Multiple-angle ellipsometric Study of the interfacial layer in Si-SiO2 structures // Surface and In-terface Analysis, 1992, v.19, p.483-6.
  • 97. Бендере Р.Б. Эллипсометрические исследования кремниевых границ раздела. Дисс. на соискание ученой ст. к.ф.-м.н., Рига, 1986.
  • 98. Yakovlev V.A., Irene E.A. An interface enhanced spectroscopic ellipsometry technique: application to Si-SiO2.// Journal of the Electrochemical Society, 1992, v.139, no.5, p. 1450-5.
  • 99. Theeten J.B., Aspnes D.E., Simondet F., Erman M., Мигай Р.С. Nondestructive analysis of Si3N4/SiO2/Si structures using spectroscopic ellipsometry // J.Appl.Phys. 1981,v,52.,Noll,p.6788-97.
  • 100. Theeten J.B., Erman M. Depth profiling and interface analysis using spectroscopic ellipsometry// 1981, J.Vac .Sci. Technol., 1981, v.20,No 3, p.471-5.
  • 101. Erman M., Frijlink P.M. Interface analysis by spectroscopic ellipsometry of GalxAlxAs-GaAs heterojunctions grown by metal organic vapor phase epitaxy //Appl.Phys.Lett.1983,v.43,No3,p.285-287.
  • 102. Theeten J.В.,Aspnes D.E. The determination of interface layers by spectroscopic ellipsometry// Thin Sol.Films, 1979, v.60, No 2, p. 183-192.
  • 103. Aspnes D.E. Interface ellipsometry: an overview // Surf.Sci. 1980, v.101, No 1, pp.84-98.
  • 104. Горохов Е.Б., Мищенко A.M., Коваленко И.Г., Покровская С.В., Неизвестный И.Г. Взаимодействие пленок GeO2 и Si3N4 в структурах Ge-GeO2-Si3N4 // Поверхность. 1983,№5,с.67-72.
  • 105. Drevillon В. In situ monitoring of interfaces and growth of amorphous silicon by spectroellipsometry. // Amorphous Silicon Technology - 1992, Symposium. Eds: Thompson M.J., Hamakawa Y., LeComber P.G., Madan A. Schiff E.A. Pittsburgh, PA, USA: Mater. Res.Soc, 1992.p.3-14
  • 106. Valcheva E.P., Germanova K.G. Interface formation and electronic structure of PECVD SiO2-InSb structures.// Super-lattices and Microstructures, 1991, v. 10, no.3,p.319-22.
  • 107. Егорова Г.А., Иванова Н.С., Потапов Е.В., Раков А.В. Эллипсометрия субтонких прозрачных слоев //Опт.и спектр. 1974, т.36,в.4, с.773-6.
  • 108. Raynaud P., Pomot С. Cleaning of silicon surfaces by argon microwave multipolar plasmas excited by distributed electron cyclotron resonance.// Journal of Vacuum Science & Technology В (Microelectronics Processing and Phenomena), 1993,vol.l 1, no.3, p.699-708.
  • 109. Haver lag M., Kersten H., Kroesen G.M.W., de Hoog F.J.,Rutscher A. The temperature dependence of the etch rate of Si measured by ellipsometry. // Contributions to Plasma Physics, 1991, v.31, no.3, p.279-82.
  • 110. Ibragim MM, Bashara N.M. Ellipsometric study of 400 ev ion damage in silicon // Surf.Sci., 1972, v.30, No 3, pp.632-640.
  • 111. Adams J.R. Complex refractive index and phosphorus consentration profiles in P ion implanted silicon by ellipsometry and auger electron spectroscopy // Surf.Sci., 1976,v.56,No l,p.307-15.
  • 112. Adams J.R., Bashara N.M. Determination of the complex index profiles in P< ! +3 ! >1 ion implanted silicon by ellipsometry //Surf. Sci., 1975, v.49, No 2, p. 441-58.
  • 113. Motooka Т., Watanabe K. Damage profile determination of ion-implanted Si layers by ellipsometry//J.Appl.Phys.,1980, v.51, No 8, p. 4125-9.
  • 114. Kim O., Park Y.S. Ellipsometric investigation of ion-implanted GaAs //Surf.Sci., 1980, v.96,p307-l8.
  • 115. Fried M, Lohner Т., Jaroli E., Khanh N.Q.,Hajdu C.,Gyulai J. Nondestructive determination of damage depth profiles in ion-implanted semiconductors by multiple-angle-of- incidence single-wave-length ellipsometry using different optical model // J.Appl.Phys., 1992,v.72, No 6,p. 2197-2201.
  • 116. Мардежов А.С.,Серяпин В.Г., Швец В.А. Профили показателей преломления и поглощения в кремнии,имплантированном ионами фосфора. // ФТП, 1988, т.22, в.7, с.1306-8.
  • 117. Aspnes D.E., Studna А.А. An investigation of ion-bombarded and annealed <111> surfaces of Ge by spectroscopic ellipsometry.// Surf.Sci.,1980, v.96, pp.294-306.
  • 118. Lohner Т., Fried M, Gyulai J., Vedam K., Nguen N.V., Hanekamp L.J., van Silfhout A. lon-implantation-caused special damage profiles determined by spectroscopic ellipsometry in crystalline and relaxed (annealed) amorphous silicon // In: Spectroscopic ellipsometry. Proc. of the 1st Int.Conf. on Spectroscopic Ellipsometry, Paris, France, Jan.11-14,1993, pp. 117-21.
  • 119. Vanhellemont J., Roussel P., Maes H.E. Spectroscopic ellipsometry for depth profiling of ion implanted materials.// Nuclear Instruments & Methods in Physics Research, Section В (Beam Interactions with Materials and Atoms), 1991, v.B55, no. 1-4, p. 183-7.
  • 120. Ogale S.B., Kanetkar S.M., Nawathey-Dibhit R., Koinkar V.N., Rajershee S.V., Chaudhari S.M., Godbole V.P. Ion implantation in pulsed-laser-deposited barium-titanate thin films on silicon.// Nuclear Instruments & Methods in Physics Research, Section В (Beam Interactions with Materials and Atoms), 1991 V.B59-B60, pt.2, p. 1350-4.
  • 121. Woollam J.A., Snyder P.O., Huade Yao, Johs, B. In-situ and ex-situ ellipsometric characterization for semiconductor technology. Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering 1992, v.1678, p.246-57.
  • 122. Svitashev K.K., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Mardezhov A.S.,Nis I.E.,Varavin V.S.,Liberman V. Remesnik V.G. The growth of high-quality MCT films by MBE using in-situ ellipsometry. // Crys.Res.Technol., 1994, v.29, No7, p.931-7.
  • 123. Quinn W.E., Aspnes D.E., Gregory S. Applications of spectroellipsometry to the growth of GaAs and AlGaAs by metalorganic molecular beam epitaxy.// Journal of Crystal Growth, 1991, v.l07, no. 1-4, p. 1045-6.
  • 124. Theeten J.B., Hottier F., Hallais J. Ellipsometric assesment of (Ga,Al)As/GaAs epitaxial layers during their growth in an organometallic VPE system // J.Cryst.Growth, 1979,v.46, pp.245-52.
  • 125. Hartley R.H., Folkard M.A., Carr D., Orders P.J., Varga IK., Kumar V., Shen G., Steele T.A., Buskes H., Lee J.B. Ellipsometry: a technique for real time monitoring and analysis of MBE grown CdHgTe and CdTe-HgTe superlattices.// J.Cryst.Growth, 1992, v.l 17, no. 1-4,p.166-70.
  • 126. Hottier F., Laurence G. Assessment by in situ ellipsometry of composition profiles of GalxAlxAs-GaAs heterostructures // Appl.Phys.Lett., 1981, v.38, No 11, p.863-5.
  • 127. Laurence G., Hottier F., Hallais J. Growth monitoring and characterization of (Al,Ga)As-GaAs heterostructures by ellipsometry // J.Cryst.Growth, 1981, v.55, pp. 198-206.
  • 128. Demay Y.,Arnault D.,Gailliard J.P.,Medina P. In situ spectroscopic ellipsometry during molecular-beam epitaxy of cadmium mercury telluride // J.Vac.Sci.Technol. A, 1987, v.5 No 5, pp.3139-42.
  • 129. Demay Y., Gailliard J.P., Medina P. In situ spectroscopic ellipsometry of mercury cadmium telluride MBE layers. // J.Cryst.Growth, 1987, v.81, pp.97-100.
  • 130. McLevige W.V., Arias J.M., Edwall D.D., Johnston S.L Ellipsometric profiling of HgCdTe heterostructures.//Journal of Vacuum Science &Technology В (MicroelectronicsProcessing and Phenomena), 1991 v.9, no.5, p.2483-6.
  • 131. Aspnes D.E., Quinn W.E., Gregory S. Application of ellipsometry to crystal growt by organometallic molecular beam epitaxy.// Applied Physics Letters, 1990, v.56, no.25, p.2569-71.14refs.
  • 132. Tonova D.A., Konova A.A. Sensitivity of variable angle of incidence spectroscopic ellipsometry to compositional profiles of graded AlxGal xAs-GaAs structures. Applied Surface Science, 1994, v.74, no.3, p.235-42.
  • 133. Rhiger D.R. Use of ellipsometry to characterize the surface of HgCdTe.// Journal of Electronic Materials, 1993,vol.22, no.8, p.887-98.
  • 134. Hottier F., Hallais J.,Simondet F. In situ monitoring by ellipsometry of metalorganic epitaxy of GaAlAs-GaAs superlattice // J.Appl.Phys., 1980, v.51, No 3, p. 1599-1602.
  • 135. Aspnes D.E. Minimumdata approaches for determining outerlayer dielectric responses of films from kinetic reflectometric and ellipsometric measurements.// Appl.Phys.Lett., 1993,v.v.62, no.4, p.343-5.
  • 136. Tomita Т., Kinosada Т., Yamashita Т., Shiota M., Sakurai T. A new non-contact method to measure temperature of the surface of semiconductor wafes. // Jap.Journ.Appl.Phys.,1986,v.25,Noll,pp.L929-7.
  • 137. Kroesen G.M.W., Oehrlein G.S., Bestwick T.D., Thomas J.Nonintrusive wafer temperature measurement using in situ ellipsometry.// Journal of Applied Physics, 1991, v.69, no.5, p.3390-2.
  • 138. Sampson R.K., Massoud H.Z. Resolution of silicon wafer temperature measurement by in situ ellipsometry in a rapid thermal processor.//Journal of the Electrochemical Society, 1993, v.140, no.9, p.2673-8.
  • 139. Sampson R.K., Conrad K.A., Irene E.A., Massoud H.Z. Simultaneous silicon wafer temperature and oxide film thicknessmeasurement in rapid-thermal processing using ellipsometry// Journal of the Electrochemical Society, 1993, v.140, no.6, p.1734-43.
  • 140. Yao H., Snyder P.G., Woolam J.A. Temperature dependence of optical properties of GaAs//J.Appl.Phys., 1991, v.70, No 6, p.3261-7.
  • 141. Bagley B.G., Aspnes D.E., Adams A.C. Optical properties of LPCVD-Si over the energy range 1.5-6.0 eV // Bull.Amer. Phys.Soc., 1980, v.25, No 1, p. 12.
  • 142. Bagley B.G., Aspnes D.E., Adams A.C., Mogab C.J. Optical properties of low-preassure chemically vapor deposited silicon over the energy range 3.0-6.0 eV//Appl.Phys.Lett.,1981, v.38, No 1, pp.58-56.
  • 143. Xiong Y.-M., Snyder P.G., Spectroscopic ellipsometric analysis of surface and subsurface damage in chemical-mechanical polished semiconductors.//Chemical Surface Preparation, Passivation and Cleaning for Semiconductor Growth and Processing Symposium. Eds: Nemanich R.J., Helms C.R., Hirose M., Rubloff G.W. Pittsburgh, PA, USA: Mater. Res. Soc, 1992.p. 155-60
  • 144. Aspnes D.E., Kinsbron E.,Bacon D.D. Optical properies of gold: sample effects //Phys.Rev. В., 1980, v.21, No 8, pp.3290-99.
  • 145. Trolier-McKinstry S., Ни Я, Krupanidhi S.B., Chindaudom P.,Vedam K., Newnham R.E. Spectroscopic ellipsometry studies on ion beam sputter deposited Pb(Zr, Ti)O3 films on sapphire and Pt-coated silicon substrates.// Thin Solid Films, 1993, v.230, no.l, p. 15-27.
  • 146. Vedam K., So S.S. Characterization of real surfaces by ellipsometry // Surf.Sci., 1972,v.29,No2, p.379.
  • 147. Dancygier M., Benitah L, Frigerio J.-M. Investigation of ferrite surface treatments by spectroscopic ellipsometry.// Thin Solid Films, 1993,vol.234, no. l-2,p.566-72.
  • 148. Jans J.C., Gemmink J.W. Detection of thin a-Si:H antireflective coatings on oxidized c-Si by resonant-detected spectroscopic ellipsometry.// Applied Optics, 1993, v.32, no.l, p.84-90.
  • 149. Алгазин Ю.Б.,Блюмкина Ю.А., Гребнев Н.И.,Свиташев К.К., Семененко Л.В., Яблонцева Т.М. Оптические постоянные атомарно-чистой поверхности германия и кремния и их температурные зависимости //Опт. и спектр., 1978, т.45, в.2, с.330-9.
  • 150. Мардежов А.С., Михайлов Н.Н., Швец В.А. Эллипсометрический контроль предэпитаксиальной подготовки подложек GaAs и роста эпитаксиальных пленок CdTe// Поверхность, 1990, N 12, с.92-6.
  • 151. Ржаное А.В., Ольшанецкий Б.З,Васильева Л.Л., Репинский С.М. Исследование границы раздела германий-сульфид германия методом дифракции медленных электронов //ФТП, 1973, т.7,№ 9,с. 1727-32.
  • 152. Kelly M.K., Zollner S., Cardona M. Modelling the optical response of surfaces measured by spectroscopic ellipsometry: application to Si and Ge. // Surface Science, 1993, v.285, no.3, p.282-94.
  • 153. Blayo N., Tepermeister I., Benton J.L., Higashi G.S., Boone Т., Onuoha A.,Klemens P.P., Ibbotson D.E., Lee J.T.C., Sawin H.H. Comparison of advanced plasma sources for etching applications IV. Plasma induced damage in a helicon and a multipole electron cyclotron resonance source. // Journal of Vacuum Science & Technology В (Microelectronics and Nanometer Structures), 1994, v.12, no.3, p. 1340-50.
  • 154. Thomas D.J., Soutkworth P., Flowers M.C., Greef R. An investigation of the reactive ion etching of polysilicon in pure C12 plasmas by in situ ellipsometry and quadrupole mass spectrometry.// Journal of Vacuum Science & Technology В (Microelectronics Processing and Phenomena), 1990, v.8, no.5, p.1044-51. 36
  • 155. Flowers M.C., Greef R., Starbuck C.M.K., Southworth P., Thomas D.J. Application of dynamic in-situ ellipsometry and quadrupole mass spectrometry to plasma-assisted etching: polymer formation and removal.// Vacuum, 1990,v.40, no.6, p.483-9.
  • 156. Meyer F. Ellipsometric studies of adsorbtion reactions on clean surfaces //Surf.Sci., 1976, v.56, pp.37-48.
  • 157. Carroll J.J., Madey Т.Е., Melmed A.J., Sandstrom D.R. The room temperature adsorption of oxigen, hidrogen and carbon monoxide on (1120) ruthenium: an ellipsometry LEED Characterization // Surf.Sci., 1980, v.96, Nos.1-3, p.508-28.
  • 158. Levinson P., Valignat M.P., Fraysse N., Cazabat A.M.,Heslot F. An ellipsometric study of adsorption isoterms//In: Spectroscopic ellipsometry. Proc. of the 1st Int. Conf. on Spectroscopic Ellipsometry, Paris, France, Jan.l 1-14, 1993, pp. 482-5.
  • 159. Meyer F., Bootsma G.A. Ellipsometric investigation of chemisorbsion of clean silicon (111) and (100) surfaces //Surf.Sci., 1969, v.16, pp.221-33.
  • 160. Mutter R.H., Steiger R.F., Somorjai G.A., Morabito J.M. Gas adsorbtion studies by ellipsometry in combination with low energy electron diffraction and mass spectrometry Surf.Sci., 1969, v.l6, pp.234-50.
  • 161. Beck F.N., Andrieu S., Pfister J.C., d'Avitaya F.A. Near-Brewster ellipsometric determination of refractive indices for submonolayer adsorbates: application to antimony on silicon (111).//Surface Science, 1991,v.257, no.1-3, p.175-89.
  • 162. Itakura A., Emi M., Arakawa I. Experimental problems in the application of ellipsometry for the study of phase transition in a physisorption system.// Journal of the Vacuum Society of Japan, 1991, v.34, no.5, p.510-13.
  • 163. Aspnes D.E., Harbison J.P., Studna A.A., Florez L.T. Reflectance- difference spectroscopy system for real-time measurements of crystal growth // Appl.Phys.Lett., 1988, v.52, no. 12, p.957,-9.
  • 164. Berkovits V.L, Paget D. Reflectance anisotropy spectroscopy: a new method for semiconductor surface chemistry investigation.//Thin Solid Films, 1993,v.233, no. 1-2, p.9-13.
  • 165. Koboyashi N., Horikosi Y. Optical investigation of the growth process of GaAs during migration-enhanced epitaxy // J.Appl. Phys.Jap., 1989, v.28, No 11, pp.L1880-82.
  • 166. Zorn M., JonssonJ., KrostA., Richter W., Zettler J.-T.,Ploska K., Reinhardt F. In-situ reflectance anisotropy studies of ternary III-V surfaces and growth of heterostructures.//Journal of Crystal Growth, 1994, v.l 45, no. 1-4, p.53-60. 21 refs.
  • 167. Quinn W.E. In situ optical characterization and control of epitaxial III-V crystal growth.// AIP Conference Proceedings, 1991, no.227, p. 13-16.
  • 168. Erman M., Alibert C., Theeten J.B., Frijlink P., Gatte B. II J.Appl.Phys., 1988, v.63, p.465.
  • 169. Merkel K.G., Snyder P.J., Woolam J.A. GaAs/AlGaAs superlattice characterization by variable angle spectroscopic ellipsometry. //SPIE, 1988, v.946 Spectroscopic Characterization techniques for semiconductor technology 111, p. 105-11.
  • 170. Lukes F.,Plog K. Dielectric function of GaAs/AlAs superlattices grown on GaAs substrates with different orientations//In: Spectroscopic ellipsometry. Proc. of the 1st Int. Conf. on Spectroscopic Ellipsometry, Paris, France, Jan.l 1-14,1993, p. 162-5.
  • 171. Zettler J.-Th., Mikkelsen H., Trepk Th., Leo K., Kurz H., Richter W. Modulated ellipsometry for characterization of multiple quantum wells and superlattices //In: Spectroscopic ellipsometry. Proc. of the 1st Int.Conf. on Spectroscopic Ellipsometry, Paris, France, Jan.11-14, 1993, pp. 112-7.
  • 172. Ozanyan K.B., Worren Т., Hunderi O. Modulation- and transmission- ellipsometric characterization of semiconductor heterostructures.// Physica Scripta Volume T, 1994, v.T54, p. 187-90.
  • 173. Pickering C., Carline R.T., Robbins D.J., Leong W.Y., Pitt A.D., Cullis A.G. Spectroscopic ellipsometry characterisation of strained Sil xGex multi-quantum wells for optoelectronic applications. Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1993,v.l985, p.414-25.
  • 174. Massoud H.Z., Sampson R.K., Conrad K.A., Yao-Zhi Ни, Irene E.A. Applications of in situ ellipsometry in RTP temperature measurement and process control.// Rapid Thermal and Integrated Processing Symposium. Eds: Gelpey J.C., Green M.L., Singh R., Wortman J.J.Pittsburgh, PA, USA: Mater. Res. Soc, 1991. p. 17-22
  • 175. Collins R.W., Ilsin An, HeydA.R., Li Y.M., Wronski C.R. Real-time spectroscopic ellipsometry monitoring of semiconductor growth and etching. // Semiconductor interfaces, microstructures and devices: properties and applications Ed.: Feng Z.C. Bristol, UK: IOP Publishing, 1993. p.55-86
  • 176. PielJ.-P., Stehle J.-L, Thomas O. The fastest real time spectroscopic ellipsometry: applications and limitations for in situ and quality control.// Thin Solid Films, 1993, v.233, no.l- 2,p.301-6.
  • 177. Barna G.G., Loewenstein L.M., Henck S.A., Chapados P., Brankner K.J., Gale R.J., Mozumder P.K., Butler S. W., Stefani J,A, Dry etch process sensors.// Solid state technology, Jan. 1984, p.47-53.
  • 178. Butler S.W., Stefani J., Sullivan M., Maung S., Barna G.,Henck S. Intelligent model-based control system employing in situ ellipsometry. Journal of Vacuum Science & Technology A (Vacuum, Surfaces, and Films), 1994, v.12, no.4, pt.2, p. 1984-91.
  • 179. Butler S. W., Stefani J. Application of predictor corrector control to polysilicon gate etching. // Proceedings of the 1993 American control Conference (IEEE Cat. No.93CH3225-0)
  • 180. Duncan W.M., Henck S.A., Kuehne J.W., Loewenstein L.M., Maung S. High-speed spectral ellipsometry for in situ diagnostics and process control.// Journal of Vacuum Science & Technology B (Microelectronics and Nanometer Structures) 1994,v.l2, no.4, p.2779-8
  • 181. Henck S.A., Duncan W.M., Lowenstein L.M., Butler S.W. In itu spectral ellipsometry for real-time thickness measurement: etching multilayer stacks.// Journal of Vacuum Science & Technology A (Vacuum, Surfaces, and Films), 1993, v.l 1, no.4, pt.l, p.l 179-85.
  • 182. Duncan W.M., Henck S.A. In situ spectral ellipsometry for real-time measurement and control.// Applied Surface Science, 1993, v.63, no.1-4, p.9-16.
  • 183. Aspnes D.E., Quinn W.E., Gregory S. Optical control of growth of AlxGalxAs by organometallic molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett., 1990, v.57, No 25, pp.2707-9.
  • 184. Aspnes D.E., Quinn W.E., Tamargo M.C., Pudensi M.A.A.,Schwarz S.A., Brasil M.J.S.P., NahoryR.E., Gregory S. II Appl. Phys.Lett, 1992, v.60, p.1244.
  • 185. Aspnes, D.E. New developments in spectroellipsometry: the challenge of surfaces.//Thin Solid Films, 1993, v.233, no. 1-2, p. 1-8.
  • 186. Johns B., Doerr D., Pittal S., Bhat I.B., Dakshinamurthy S. Real-time monitoring and control during MOVPE growth of CdTe using multiwavelength ellipsometry.// Thin Solid Films, 1993, v.233, no.1-2, p.293-6.
  • 187. Aspnes D.E., Kamiya I., Tanaka H., Bhat R., Florez L.T., Harbison J.P., Quinn W.E., Tamargo M., Gregory S., Pudensi M.A.A., Schwarz S.A., Brasil M.J.S.P., Nahory R.E. Real-time optical diagnostics for measuring and controlling epitaxial growth.// Thin Solid Films,1993,v.225,no.l-2,p.26-31.
  • 188. Aspnes D.E Analysis of semiconductor materials and structures by spectroellipsometry // Spectroscopic characterization techniques for semiconductor technology 111., 1988, USA, v. 946, p.84-97.
  • 189. Irene E.A. Applications of spectroscopic ellipsometry to microelectronics. // In: Spectroscopic ellipsometry. Proc. of the 1st Int. Conf. on Spectroscopic Ellipsometry, Paris, France, Jan.l 1-14, 1993, pp. 96-112.
  • 190. Drevillon B. Phase modulated ellipsometry from the ultraviolet to the infrared: in situ application to the growth of semiconductors.//Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 1993, v.27, no.l, p. 1-87.
  • 191. Aspnes D.E., Bhat R., Colas E., Florez L.T., Gregory S.,Harbison J.P., Kamiya L,QuinnW.E., Schwarz S.A., Tanaka H., Wassermeier M. Real-time optical diagnostics for measuring and controlling epitaxial growth.// Atomic Layer Growth and Processing Symposium. Eds.: Kuech T.F., Dapkus P.D., Aoyagi Y. Pittsburgh, PA, USA: Mater. Res. Soc, 1991.p.63-73
  • 192. Aspnes D.E., Real-time optical diagnostics for epitaxial growth.// Surf.Sci., 1994,v.307-309, p. 1017-27.
  • 193. Атучин В.В., Хасанов Т. Определение показателей преломления на поверхности планарных оптических волноводов типа Ti:LiNbO3 методом эллипсометрии//Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск, "Наука", 1987, с.171-4.
  • 194. Bratescu G.G., Zatnfir E., Beldiceanu A., Buhat A., Dinu В., Marts Z. Les caracteristiques optiques des films dielectriques deposes et la couche de polissage du verre support // An.Univ. Bucuresti.Fiz., 1977, v.26, p.9-16.
  • 195. Yokota H., Sakata H., Nishibori M., Kinosita K. Ellipsometric study of polished glass surfaces. // Surf.Sci., 1969, v.16, p.265-74.
  • 196. Тронин А.Ю., Константинова А.Ф., Филиппов В.В. Эллипсометрические исследования одноосных гиротропных кристаллов.//Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск, "Наука", 1987, с.37-41.
  • 197. Primak W. Determination of small dilatations and surface stress by birefringence measurements//Surf.Sci., 1969,v. 16, p.398-427.
  • 198. Mikami N., Nagao C., Sawada Т., Sato K. Measurement of stress induced birefringence of bismuth germanium oxide single crystalls by a new ellipsometry //Jap.J.Appl.Phys., 1987, v.26, p. 152-5.
  • 199. Kircher J., Bohringer W., Dietrich W., Hirt H., Etchegoin P. Cardona M. Design of a compact uniaxial stress apparatus for optical measurements.// Review of Scientific Instruments, 1992, v.63, no.7, p.3733-5.
  • 200. Neson D.F. General solution for the electro-optic effect // J.Opt.Soc.Amer., 1975, v.65, No 10, pp.1144.
  • 201. Imamura Т., Matsumoto K., Inoue M., Gomi M., Fujii T. Convenient spectrum measurement of magnetooptic Faraday effect utilizing off-crossed polarization. // Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), 1994, v.33, no.5A, p.L679-82.
  • 202. Minden H.T. Ellipsometric measurement of the Kerr magnetooptic effect //Appl.Opt., 1979, v.18, No 6, pp.813-17.
  • 203. Zhou A.F., Erwin J.K., Mansuripur M. Instrumentation of the variable-angle magneto-optic ellipsometer and its application to M-O media and other non-magnetic films.// Proceedings of the SPIE - The International Society for OpticalEngineering, 1992, v.1663, p.264-86.
  • 204. Блюмкина Ю.А., Архипенко А.В. Прецизионная эллипсометрическая методика для исследования аморфных прозрачных материалов //Эллипсометрия – метод исследования поверхности. Новосибирск, "Наука", 1983, с.118-21.
  • 205. Отчеты о научно-исследовательских работах, ОИФП СО РАН, Новосибирск,1991-1994 г.
  • 206. Пшенщын В.И. Эллипсометрия модифицированных поверхностных слоев и шероховатых поверхностей оптических материалов. - Дисс. на соискание уч.ст. д.ф.-м.н., С-Петербург, 1994.
  • 207. Храмцовский И.А., Пшенщын В.И.,Каданер Г.И.,Кислое А.В. Учет птических характеристик поверхностного слоя при определении коэффициентов отражения и пропускания прозрачных диэлектриков // Журн.прикл.спектр., 1987, т.46, в.2, с.272-9.
  • 208. Храмцовский И.А., Пшенщын В.И. Влияние полирующего абразива на оптические характеристики поверхностного слоя// ОМП, 1987, № 7, с. 29-31.
  • 209. Храмцовский И.А.,Пшеницын В.И. Роль удельного давления в формировании оптических свойств поверхностного слоя при полировании кварцевого стекла // ОМП, 1986,№ 12, с.26-28.
  • 210. Пшеницын В.И., Храмцовский И.А. Исследование потерь излучения НЕ оптических элементах в зависимости от физических параметров поверхностного слоя // ОМП, 1983,№12,с.5-7.
  • 211. Брагинский Л.С., Гилинский И.А., Свиташева С.Н. Отражение света от шероховатой поверхности, интерпретация эллипсометрических измерений.// ДАН СССР 1987,т.293,№5, с. 1097-1101.
  • 212. Антонов В.А., Пшеницын В.И. Отражение поляризованного света от шероховатой поверхностью // Опт. и спектр., 1984, т.56, в.1, с. 146-54.
  • 213. Пшеницын В.И.,Петровский ГЛ., Антонов В.А. и др. Эллипсометрическое измерение параметров шероховатости металлических зеркал // ДАН СССР, 1986, т.290, N< 2, с.317-21.
  • 214. Smith Т. Effect of surface roughness on ellipsometry of aluminum // Surf.Sci.1976, v.56, pp. 252-71.
  • 215. Blanco J.R., McMarr P.J. Roughness measurements of Si and Al by variable angk spectroscopic ellipsometry//Appl.Opt.,1991, v.30, No 22, pp.3210-20.
  • 216. Панъкин В.Г.,Пчелкин В.Ю.,Шишкин В.В. О применении ВКБ-метода для определения профиля показателя преломления в плоских диффузионных волноводах / Квантовая электрон., 1977, т.4, № 7, с. 1497.
  • 217. Одарич В.А.,Рубан В.А. Эллипсометрические исследования поверхностных слоев, полученных диффузией примесей в гранатовых структурах// Эллипсометрия – метод исследования поверхности. Новосибирск, "Наука", 1983, с.96-99.
  • 218. Храмцовский И.А., Вощенко Т.Н., Черезова Л.А., Пшеницын В.И., Апинов А.А Изменение оптических свойств поверхностного слоя при ионно-плазменном распылена кварцевого стекла// Опт. и спектр., 1988, т.65, в.1, с.141-6.
  • 219. Храмцовский И.А.,Пшеницын В.И., Мишин А.В. и др. Исследование поверхностных слоев свинцовосиликатного стекла методом эллипсометрии//Физика \химия стекла, 1987, т. 13, № 1, ее. 104-11.
  • 220. RivoryJ., Fisson S., Van V.N. et al. Study of CaF2 growth on Si, a-SiO2 by in siti spectroscopic ellipsometry //In: Spectroscopic ellipsometry.Proc.of the 1st Int Conf. or Spectroscopic Ellipsometry, Paris, France, Jan.11-14, 1993, pp.260-3.
  • 221. Oliveira L, Cruz C.M.G.S., Silva M.A.P., Li M.S. Optical and structura characterizations of Cu+-doped KC1 films.// Thin Solid Films, 1994. v.250, no. 1-2, p.273-8.
  • 222. Oliver S.A., DiMarzio C.A., Kale А. В., Lindberg S.C., McKnightS.W. Magnetoopti< Kerr effect sensors for fiber optic applications Proceedings of the SPIE - The Internationa Society for Optical Engineering, 1994, v.2070, p.429-37.
  • 223. Chindaudom P., Vedam K. Characterization of inhomogeneous transparent thii films on transparent substrates by spectroscopic ellipsometry: refractive indices n( ) of sorm fluoride coating materials.// Applied Optics, 1994, v.33, no. 13, p.2664-71.
  • 224. Carr N., Goodwin M.J., Harrison K.J., Lewis K.L. The design and fabrication о optical filters using organic materials.// Thin Solid Films, 1993, v.230, no.l, p.59-64.
  • 225. Houdy Ph., Boher P. Design and manufacture of sputtered multilayers fo applications to soft X-ray optics.Journal de Physique III (Applied Physics, Material; Science,Fluids, Plasma and Instrumentation), 1994, vol.4, no.9, p. 1589-98.
  • 226. Mai H., Pompe W. Manufacture and characterization of soft X-ray mirrors by lase ablation. // Applied Surface Science, 1992, v.54, p.215-26.
  • 227. Boher P., Houdy P., Kaikati P., Ouahabi M., Barchewitz R. Manufacture am performances of rhodium/carbon multilayer X-raymirrors.// Applied Physics Letters, 1990, v.57 nn Я п 8ЧЛ.-Й n=fc
  • 228. Saitoh Т., Kamataki О., Uematsu, Т. Optimization of antireflection film structures for surface-passivated crystalline silicon solar cells. // Japanese Journal of Applied Physics, P.I, 1994,v.33,no.4A,p.l809-13.
  • 229. Kamataki O., Hda S., Saitoh Т., Uematsu, T. Characterization of antireflection films for surface-passivated crystalline silicon solar cells using spectroscopic ellipsometry //Conference Record of the Twenty First IEEE Photovoltaic SpecialistsConference - 1990 (Cat. No.90CH2838-l) New York, NY, USA: IEEE, 1990. p.363-7 v.l
  • 230. Thomsen-Schmidt P., Schafer D., Johansen H., Martini Т., Pfeifer G., Reisse G., Schwiecker H., WolfR., Schneider U., Zilian J. Characterization and deposition of oxide films by laser assisted electron beam evaporation (LEBE) for optical applications // Physica Status Solidi A, 1994, v.145, no.2,p,453-60.
  • 231. Andrews D.A., King T.A. Investigation of magneto-optic mirrors for ring laser gyro applications.//Journal of Modern Optics, 1994, v.41, no.10, p.2007-18.
  • 232. Bichri A., Hunderi O., Lafait J., Wold E. Characterization of radiative surface modes and anisotropy in Ag/SiO2 multilayers, by visible and IR llipsometry.// Thin Solid Films, 1993,v.234,no.l-2,p.496-9.
  • 233. Martin P.J., Netterfield R.P. Optimization of deposition parameters in ion-assisted deposition of optical thin films.//Thin Solid Films, 1991, v.l 99, no.2, p.351-8.
  • 234. Эллипсометрия. Аннотированный библ. указатель отечественной и иностранной литературы за 1975-1979 гг. Новосибирск, 1985.
  • 235. Эллипсометрия. Аннотированный библ. указатель отечественной и иностранной литературы за 1980-1984 гг. Новосибирск, 1985.
  • 236. Эллипсометрия. Аннотированный библ. указатель отечественной и иностранной литературы за 1985-1989 гг. Новосибирск, 1985.
  • 237. Paik W.K.,Genshaw M.A., Bockris J'M. J. Phys.Chem.,1970, v.74, p.4266.
  • 238. Kruger J., Ambrose J.R. Qualitative use of ellipsometry to study localized corrosion processes // Surf.Sci., 1976, v.56, p.394-412.
  • 239. Agius В., Siejka J., Etude par ellipsometrie et microanalyse nucleaire de 1'interface fer passive-solution. // J.Phys. (France), 1977, v.38, No 11, p. 139-44.
  • 240. Kong H., Chen J. Study of the growth of passivation film on stainless steel in surfuric acid by ellipsometry // Diandu Yu Huanbao, 1987, v.7. No 6, p. 1-3.
  • 241. Sengar H.G.S., Pandey K.N., Singh K. et al. Studies of the passivefilm on mild steel at different pH by ellipsometry // Bull.Electrochem., 1987, v.3, No 6, p.627-32.
  • 242. McBee C.L.,Kruger J. Ellipsometric-spectroscopy of film formed on metals in solution // Surf.Sci., 1069, v. 16, p.340-52.
  • 243. Hayfield P.C.S. Studies by ellipsometry on high pressure gas and liquid reactions //Surf.Sci., 1069, v.l6, p.370-81.
  • 244. Greef R. Ellipsometry in electrochemistry: spectrum of applications //In:Spectroscopic ellipsometry. Proc. of the 1st Int. Conf. on Spectroscopic Ellipsometry, Paris,France, Jan.l 1-14, 1993, p. 32-39.
  • 245. GreefR.,BobbertP.A.,Vlieger/i]. J.Electroanal.Chem., 1990, v.280, p.283.
  • 246. Greef R., Norman C.F.W. Ellipsometry of the growth and dissolutionof anodic oxide films on aluminum in alcaline solution //J.Electrochem.Soc.,1985, v.l32, No 10, p. 2362-9.
  • 247. Sabatani E., Redondo A., Rishpon J., Rudge A., Rubinstein I.,Gottesfeld S. Morphology control in electrochemically grown conducting polymer films. II. Effects of cathodic bias on anodically grown films studied by spectroscopic ellipsometry and quartz-crystal microbalance. // Journal of the Chemical Society Faraday Transactions, 1993 v.89, no.2, p.287-9
  • 248. Kim Y.-T., Collins R.W., Vedam K. Fast scanning spectroelectrochemical ellipsometry: in-situ characterization of gold oxide. // Surface Science, 1990, v.233, no.3, p.341-50.
  • 249. Blodgett K.B., Langmuir Built -up films of barium stearate and their optical properties // Phys rev., 1937, v.51, p.96
  • 250. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: "Мир", 1981.
  • 251. Paste G., Moss С. In: Progress in Surface Science, v.2, part 3, (Pergamon, New-York, 1972),p.l39.
  • 252. Rothen A. In: Progress in Surface and Membrane Science, v.8, (Academic Press, New-York, 1974), p.81.
  • 253. Лаврентьев В.В., Сорокин Ю.Ю. Эллипсометрическое изучение изотерм адсорбции белков на кремнии // Журн.физ.химии, 1979, т.53, № 11, с.2967-9.
  • 254. Azzam R.M.A., Rigby P.С., Krueger J.A. Kinetics of protein absorption and immunological reaction at a liquid/solid interface by ellipsometry // Physics in medicine and biology, 1977, v.22, No 3, p.422-30.
  • 255. Ahluwalia A., Carra M., De Rossi D., Ristori C., Tundo P., Bomben, A.Improvement of antibody surface density by orientation of reduced fragments.// Thin Solid Films, 1994,v.247, no.2, p.244-7.
  • 256. Ahluwalia A., De Rossi D., Ristori C., Schirone A., Serra G. A comparative study of protein immobilization techniques for optical immunosensors.// Biosensors & Bioelectronics, 1992,v.7, no.3, p.207-14.
  • 257. Mathot C., Rothen A. The immunoelectroadsorbtion method // Surf.Sci., 1969, v.!6,pp.428-37.
  • 258. GiaeverL II Bull.Am.Phys.Soc., 1974, v.19, p.564.
  • 259. Rothen A. Immunologic reactions carried out at a liquid-solid interface // Surf.Sci., 1976,v.56,p.l09-116.
  • 260. Vroman L, Adams A.L. Findigs with the recording ellipsometer suggesting rapid exchange of specific plasma proteins at liquid/solid interfaces // Surf.Sci., 1969, v.16, p.438-46.
  • 261. Davis R.B., Azzam R.M.A., Holtz G. Ellipsometric observation of surface adsorption and molecular interactions of native and modified fibrinogen and factor VIII//1980,v.96,p.539-54.
  • 262.Rosenberg M.D.II Biophys.Journ., 1960, v.l, p. 137.
  • 263. Poste G., Greenham L.W. // Citobias., 1971, v.3, p.5.
  • 264. Azzam R.M.A. Use of a light beam to probe the cell surface in vitro // Surf.Sci., 1976,v.56,p.l26-33.
  • 265. Bateman G.B. Determination of thickness and refractive index of thin films as an approach to the study of biological macromoleculs.// In: "Ellipsometry in the measurement of urfaces and thin films", symposium proceedings, Washington
  • 266. Van Blokland G.J. Ellipsometry of human retina in vivo: preservationof polarization//J.Opt.Soc.Amer., 1985, v.A2, No l,p.72-5.
  • 267. Ducharme D.,Salesse C., Leblanc R.M. Ellipsometric studies of rod outer segment phospholipids at the nitrogen-water interface // Thin Sol.Films, 1985, v.l32, pp.83-90.1963, p.297.
  • 268. Dreher A. W., Reiter K. Retinal laser ellipsometry: a new method for measuring the retinal nerve fiber layer thickness distribution?. // Clinical Vision Sciences, 1992 v.7, no.6, p.481-8.
  • 269. Dreher A.W., Reiter К., Weinreb R.N. Spatially resolved birefringence of the retinal nerve fiber layer assessed with a retinal laser ellipsometer.// Applied Optics, 1992, v.31, no.!9,p.3730-5.
  • 270. Stenberg M., Arvin H., Nilsson A. Silicon - silicon dioxide as an electrode for electrical and ellipsometric measurements for adsorbed organic moleculs. // J.Colloid and Interface Sci., 1979, v.72, No 2, p.255-64.
  • 271. Tse J., Adamson A.W. Adsorption and contact angle studies. Organic substances on polished polyethylene. // J.Colloid and Interface Sci., 1979, v.72, No 3, p.515-23.
  • 272. Jinyu Wang Cylindrical waveguide evanescent field ellipsometry. // Optical Engineering, 1992, v.31, no.7, p.1432-5.
  • 273. De FeijterJ.A., Benjamis J., Veer F.A. Ellipsometry as a tool to study the adsorption behavior of synthetic and biopolymers at the air-water interface // Biopolymers, 1978, v.!7,No7, p.1759-72.
  • 274. Tenebre L. Etufe par ellipsometrie des conformations moleculares dans les monocouches d'acides gras a la surface de 1'eau // J.Phys. (France) 1977, No 11, p.123-7.
  • 275. Русанов A.M., Пшеницын В.И., Левичев С.А. и др. Термодинамическое и эллипсометрическое исследование поверхностных слоев водных растворов акриламида и полиакриламида // Тез.докл. 7-й Всес.конф. по коллоид, химии и физ. хим. мех., Минск, 1977. Секция А-Д. Минск, 1977, с.28.
  • 276. Beaglehole D. Capillary-wave and intrinsic thickness of the surface of a simple liquid // Phys.Rev.Lett, 1987, v.58, No 14 p. 14340-6.
  • 277. Renault A., Schultz O., Konovalov O., Berge B. Study of floating alcohol monolayers in contact with a reservoir drop: phase diagram and application to Langmuir-Blodgett deposition without a movable barrier. Thin Solid Films, 1994, v.248, no.l, p.47-50.
  • 278. Михайлов А.В.,Кузьмин В.Л.,Русанов А.И. О поведении эллипсометрического параметра вблизи критической точки расслаивания бинарного раствора //Коллоид.журн., 1984,т.46,№3,с.481-9.
  • 279. Bouizem Y., Chao F., Costa M. et al. Ellipsometric study of acrylonitrile electropolymerization on nickel//J.Electroanal. Chem.Interfacial Electrochem., 1984,v.l72,No 1-2, p.101-121.
  • 280. Oleszkiewicz E., Kisza M. Ellipsometric measurements of poly (methyl metacrylate) layers bombarded with boron ions // Opt. Appl., 1985, v.15, No 2, p. 157-62.
  • 281. Lauer J.L., Banting G., Jones W.R.Jr. Investigation of PTFE transfer films by infrared emission spectroscopy and phaselocked ellipsometry. // Avail. NTIS. Fro. Sci. Tech. Aerosp. Rep., 1987, v.25, No 13, Abstr. No 87-20421.
  • 282JC/p G.A.M., Busscher H.J., van Silfhout A., Arends J. Surface layer relaxation in PMMA during n-propanol adsorption and desorption: an ellipsometric study // Polym.Commun., 1985,v.26,No7,p.215-7.
  • 283. Bolle M., Lazare S. Ablation of thin polymer films on Si or metal substrate with the low intensity UV beam of an excimer laser or mercury lamp: advantages of ellipsometric rate measurements.// Applied Surface Science, 1992, v.54, p.471-6.
  • 284. Senda K., Vinogradov G.K., Gorwadkar S., Morita S., 2-10 nm scale plasma polymerized organic films. Journal of Applied Physics, 1993, v.74, no.10, p.6425-6.
  • 285. Schupp H.,Hapfer В.,Van Wagenen R.A. et al. Surface characterization of functional poly(diacetylene) and polybutadiene mono- and multilayers //Colloid.Polym.Sci.,1982, v.260, No 3, p.262-7.
  • 286. Johannsmann D., Mathauer K., Wegner G., Knoll W. Viscoelastic properties of thin films probed with a quartz-crystal resonator.// Physical Review В (Condensed Matter), 1992, vol.46, no.!2,p.7808-15.
  • 287. Hamnett A., Hillman A.R. Ellipsometric study of the growth of thin organic polymer films //Ber.Bunsenges.Phys.Chem., 1987, v.91, No 4, p.329-36.
  • 288. Gaynor J.F., Desu S.B. Room temperature copolymerization to improve the thermal and dielectric properties of polyxylylene thin films by chemical vapor deposition.//Journal of Materials Research, 1994, v.9, no. 12, p.3125-30.
  • 289. Babai M., Gottesfeld S. Ellipsometric study of the polymeric urface films formed on platinum electrodes by the electrooxidation of phenolic compounds // Surf.Sci., 1980, v.96, p.461-75. ' .
  • 290. Poll H.-U., Meichsner J., Arzt M., Friedrich M., Rochotzki R., Kreyssig E. Optical properties of plasma polymer films.//Surface and Coatings Technology, 1993 v.59, no. 1-3, p.365-70.
  • 291. Rochotzki R., Nitschke M., Arzt M., Meichsner J. Plasma modification of polymer films studied by ellipsometry and infrared spectroscopy.// Physica Status Solidi A, 1994, v.145, no.2, p.289-97.
  • 292. Chao F., Costa M., Lang P., Lheritier E. Ellipsometrie: variation de la function dielectrique d'un film de polymethylthi ophene greffe, en fonction de la croissance //Ann.Phys.(Fr.), 1986,v.ll,No 1,р.101-105.
  • 293. Elsharkawi A.R., Kao K.C. Study of the optical properties of anthracene thin films by ellipsometry//J.Opt.Soc.Amer., 1975, v.65, No 11, p.1269-73.
  • 294. Honig E.P., De Koning B.R. Ellipsometric investigation ofthe skeletonization process of Langmuir-Blodgett films. // Surf. Sci., 1976, v.56, p.454-60.
  • 295. Benferhat R., Drevillon В., Robin P. IR ellipsometry study of oriented molecular monolayers // Thin Sol.Films, 1988, v.156, No 2, p.295-305.
  • 296. Stranick S.J., Parikh A.N., Tao Y.-T., Allara D.L., Weiss P.S. Phase separation of mixed-composition self-assembled monolayers into nanometer scale molecular domains.//Journal of Physical Chemistry, 1994, v.98, no.31, p.7636-46.
  • 297. Engstroem S., Baeckstroem K. Ellipsometry as a tool to study detergency at hard surfaces // Langmuir, 1987, v.3, no 4, p.568-74.
© ИФП СО РАН, 2008-2017 гг. последнее обновление ноябрь 2017г. Aulchenko Nina